英特爾Fab 52滿載月產(chǎn)能達4萬片晶圓，2027年良率達先進水平

英特爾正努力在制程技術(shù)和全球先進產(chǎn)能方面追趕臺積電，但在美國市場，這家芯片巨頭仍然無人能敵。據(jù)報道，英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產(chǎn)的Fab 21二期工廠更為先進，其產(chǎn)能相當于這兩個工廠的總和。

英特爾Fab 52工廠旨在生產(chǎn)采用英特爾18A（1.8nm級）及更先進工藝技術(shù)的芯片，這些工藝技術(shù)使用環(huán)柵（GAA）RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)。該工廠的產(chǎn)能為每周1萬片晶圓，滿負荷運轉(zhuǎn)時每月約4萬片晶圓*（WSPM），按如今標準來看，這確實是一個非常龐大的晶圓廠。

據(jù)@IntelProMUltra觀察，目前，F(xiàn)ab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)，其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進的低數(shù)值孔徑EUV光刻機，它借鑒了下一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源，因此在30 mJ/cm2 的劑量下，每小時可處理多達220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統(tǒng)，在30 mJ/cm2的劑量下，每小時可處理160片晶圓。

此外，英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區(qū)預(yù)留了至少15臺EUV光刻機的安裝空間，未來可能引入更高數(shù)值孔徑（High-NA）機型，進一步鞏固技術(shù)壁壘。

與臺積電Fab 21一期工程（采用臺積電N4和N5工藝生產(chǎn)芯片）相比，英特爾Fab 52能夠采用更先進的制程節(jié)點（低至1.8納米及以下）生產(chǎn)芯片，并且每月晶圓處理量是其兩倍。但盡管技術(shù)領(lǐng)先，F(xiàn)ab 52的量產(chǎn)進度仍受制于18A制程的良率爬坡。目前該工廠正小批量試產(chǎn)搭載18A技術(shù)的“Panther Lake”處理器，但英特爾預(yù)計需至2027年初才能使良率達到行業(yè)頂尖水平。在此之前，F(xiàn)ab 52的CPU產(chǎn)能將受限，部分產(chǎn)線可能處于閑置狀態(tài)。反觀臺積電，其美國工廠采用成熟制程快速量產(chǎn)策略，可迅速實現(xiàn)接近滿載的利用率。（校對/趙月）