雖有摻水嫌疑，但臺(tái)積電5nm芯片依然最牛

眾所周知,隨著Digitimes近日發(fā)布了一份關(guān)于各大芯片廠商們?cè)诓煌墓に嚬?jié)點(diǎn)時(shí)的晶體管密度的分析報(bào)告,于是大家關(guān)于intel、三星、臺(tái)積電的工藝制程就有了很多說法。

主要都是認(rèn)為三星的工藝太假了,晶體管密度這么低,3nm還不如英特爾的7nm。還有人表示還是intel最清白,在嚴(yán)格遵守摩爾定律。

而關(guān)于臺(tái)積電,大家也認(rèn)為還是有一定的摻水、造假嫌疑的,雖然比三星要好一點(diǎn),但和intel相比,晶體管密度還是低一些。

當(dāng)然,晶體管密度不是判定工藝的唯一標(biāo)準(zhǔn),只是參考,這個(gè)大家都是清楚的,雖然對(duì)比起來,不管是臺(tái)積電,還是三星,較之intel的工藝,晶體管密度確實(shí)低了一些。但不可否認(rèn)的是,目前臺(tái)積電的5nm芯片工藝,依然是全球最牛,沒有對(duì)手。

首先從對(duì)外宣稱的工藝節(jié)點(diǎn)來看,英特爾還在10nm,臺(tái)積電在5nm,三星在5nm,至于其它芯片廠商,都在10nm以上,所以很明顯,臺(tái)積電5nm與三星的5nm,是當(dāng)前最先進(jìn)的工藝了。

再結(jié)合晶體管密度,臺(tái)積電的最新的5nm技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管密度為1．73億個(gè)每平方毫米;三星的最新的5nm技術(shù),晶體管密度只能達(dá)到1．27億個(gè)每平方毫米,遜色于臺(tái)積電。

至于intel,現(xiàn)在還在10nm,能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管密度,還處于1．06億個(gè)每平方毫米,所以很明顯,臺(tái)積電技術(shù)還是最強(qiáng)的。

事實(shí)上,從市場(chǎng)表現(xiàn)來看,也能夠看得出來,臺(tái)積電能夠拿下55%的芯片代工市場(chǎng),而三星只有17%左右,說明廠商們的眼睛是雪亮的。

另外在10nm以下的芯片生產(chǎn)中,臺(tái)積電能夠拿下92%的份額,而三星只能拿下10nm以下的8%的份額,這也足夠說明大家在10nm以下工藝時(shí),還是更認(rèn)可臺(tái)積電的技術(shù),而不是三星的技術(shù)。