三星喊推1nm再杠臺積電 2030年前量產
三星晶圓代工再次杠上臺積電。外電報道，三星率先喊出2030年前1nm制程到位并進入量產階段，成為業界首家揭露1nm生產節點計劃的廠商，與臺積電爭奪話語權。
相較之下，臺積電尚未公布1nm生產藍圖。對于三星搶先揭露1nm相關時程，至昨（31）日截稿前，臺積電沒有進一步評論。
臺積電目前對外公布的最先進制程技術發展計劃，是邁入“埃米時代”的下一代先進邏輯制程A14（1.4nm），預計2028年生產。
臺積電強調，A14制程技術旨在通過提供更快的運算和更好的能源效率，來推動AI轉型，亦有望通過增進裝置端AI功能來強化智能手機功能，使其更加智能。
臺積電先前指出，A14制程技術截至目前開發進展順利，良率表現優于預期進度，搭載超級電軌技術（SPR）的版本計劃于2029年推出。
此外，臺積電隸屬于2nm家族A16制程計劃2026年下半年量產。A16是臺積電邁入埃米制程的第一站，先前業界傳出，OpenAI自家ASIC芯片由博通、邁威爾（Marvell）等美商合作開發，并在臺積電3nm與A16制程投片生產。
臺積電投入A16與更先進的A14制程研發之際，外電報道，三星積極追趕，傳出已訂下“2030年導入1nm制程”的遠大目標，與臺積電正面交鋒，搶攻1nm時代主導權。
韓媒《BusinessKorea》報道，產業人士透露，三星晶圓代工部門已規劃于2030年前完成1nm制程研發，并進入量產階段。由于1nm制程的晶體管密度是2nm的兩倍，制程難度明顯升高，被視為芯片微縮技術的重要里程碑。
報道指出，為了突破制程微縮的物理極限，三星1nm制程的主力架構將從現行“環繞式閘極（GAA）”轉移至“叉型片（fork sheet）”結構，通過在nm片之間加入絕緣層，進一步提升晶體管密度，達到改善功耗及效能的目標。
韓媒先前報道，由于AI對高端芯片需求殷切，三星持續加碼研發與資本支出，2025年投入總額已達90.4兆韓元，2026年將再增加22%，顯示三星急欲追趕甚至超越競爭對手，在AI芯片與高頻寬存儲器（HBM）等新興領域搶占更多話語權。
三星亦同步優化現有先進制程，積極爭取重量級客戶訂單。產業人士指出，三星已開發客制化2nm制程“SF2T”，主供特斯拉次世代AI芯片AI6，預計2027年于三星得州新廠量產。
