HBM需求引發存儲大缺貨！ DRAM、NAND供應壓力山大2026仍無解

全球電子協會指出，隨AI與資料中心需求快速升溫，全球存儲供應正出現結構性重分配，高頻寬記憶體（HBM）需求大增，迫使產能自傳統DRAM與NAND快閃存儲技術轉移，導致電子制造商普遍面臨交期延長、價格上漲及市場不確定性升高等壓力。

根據該協會《存儲緊縮：AI驅動的產能重新分配如何重塑電子制造商的存儲供應格局》報告，全球存儲市場已不再只是短期景氣循環波動，而是進入由AI驅動的長期供應重組階段，對整體電子產業供應鏈與成本結構帶來深遠影響。

該調查顯示，62％制造商正面臨供應受限或交期延長，82％受訪者反映存儲價格上漲，其中33％更認為漲幅顯著；僅14％企業預期未來六個月內情況可望改善。

94％企業表示，目前仍可取得存儲供應，但多數業者坦言取得條件已明顯受限，不僅提高生產規劃難度，也進一步壓縮企業獲利空間。

全球電子協會指出，存儲是電子制造不可或缺的基礎元件，從智能手機、筆電，到汽車、工業系統及醫療設備等產品，都高度依賴穩定供應。

少數AI驅動買方正吸收愈來愈大比例的全球供應，使傳統采購策略逐漸失效，制造商必須改以更具前瞻性的方式，強化供應來源多元化，并提升設計端的替代與調整能力。

全球電子協會首席經濟學家Shawn DuBravac表示，AI不僅在推動需求成長，更在重新定義關鍵資源的取得方式，這代表全球電子生態系統中的存儲資源排序正被根本改寫。

對于未直接處于AI供應鏈核心的制造商而言，未來將被迫在更緊張、也更難預測的市場環境中競爭。

產業人士預期，隨著AI基礎設施投資持續加速，DRAM與NAND供應壓力在2026年仍將延續，恐進一步推升電子產品短期售價，拉長生產交期，甚至導致部分產品類別出現供應短缺。