良率未達(dá)標(biāo)，三星無(wú)期限推遲HBM5E量產(chǎn)

三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）由于良率未達(dá)標(biāo)，短期內(nèi)可能無(wú)法投入量產(chǎn)，從而影響其面向下一代HBM內(nèi)存的推進(jìn)節(jié)奏。

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，由于基于10nm工藝的1d（D1d）DRAM良率不理想，三星可能暫緩其下一代HBM5E產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。盡管該DRAM技術(shù)此前已獲得預(yù)生產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA），但由于良率低于目標(biāo)水平，公司對(duì)試產(chǎn)乃至量產(chǎn)的投資回報(bào)率（ROI）產(chǎn)生擔(dān)憂。

一位接近三星內(nèi)部的人士表示：“三星電子計(jì)劃在D1d良率達(dá)到目標(biāo)之前無(wú)限期推遲量產(chǎn)，目前尚未確定重啟時(shí)間。公司正通過(guò)全面重新審視工藝路線圖來(lái)提升良率。”

D1d DRAM技術(shù)在三星未來(lái)HBM路線圖中至關(guān)重要，預(yù)計(jì)將用于其第九代HBM產(chǎn)品HBM5E。

目前，1c DRAM已應(yīng)用于包括HBM4、HBM4E和HBM5在內(nèi)的三代HBM產(chǎn)品。其中，HBM4預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候推出，將用于英偉達(dá)的Vera Rubin平臺(tái)以及AMD的MI400平臺(tái)；HBM4E則可能用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及定制版本預(yù)計(jì)將應(yīng)用于英偉達(dá) Feynman系列及其他競(jìng)品方案。

此前有報(bào)道稱(chēng)，三星正在大幅壓縮HBM的研發(fā)周期，盡管這有助于更快推出新產(chǎn)品，但并不意味著能夠快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

與此同時(shí)，三星也在加大產(chǎn)能布局，在韓國(guó)溫陽(yáng)建設(shè)一座大型芯片工廠。該設(shè)施面積相當(dāng)于四個(gè)足球場(chǎng)，將用于生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的下一代DRAM產(chǎn)品，涵蓋封裝、測(cè)試、物流及質(zhì)量控制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，以支撐長(zhǎng)期穩(wěn)定生產(chǎn)。

在HBM賽道上，三星正與SK海力士展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。后者已在D1d DRAM技術(shù)上實(shí)現(xiàn)良率突破。（校對(duì)/趙月）