中國科學院微電子所在DRAM刻蝕工藝三維仿真方向取得重要進展

隨著DRAM工藝不斷向更小尺寸發展，控制有源區鰭形結構的刻蝕形狀成為提高良品率的關鍵難題。業界普遍觀察到所謂的wiggling AA效應，即鰭狀結構出現了不均勻的側壁和彎曲變形，這嚴重降低了電容效率和器件的可靠性。然而，這種現象的物理根源一直不明確，缺乏系統的表征和機理模型，導致刻蝕工藝難以精確控制。

面對這一挑戰，中國科學院微電子研究所的EDA中心研究員陳睿與先導中心的高級工程師李俊杰、聞靜，以及維也納工業大學的Lado Filipovic教授合作，創新性地將聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）三維重構技術與刻蝕工藝模型深度結合，通過對不同工藝條件下刻蝕過程的仿真和實驗，揭示了wiggling AA效應的核心機理和調控機制。

這項研究成果近期發表在Nature工程領域的子刊Communications Engineering上，題為“3D重建和動態隨機存取存儲器制造中wiggling有源區效應的刻蝕輪廓模擬”。微電子所的博士研究生呼子義是論文的第一作者，陳睿研究員、李俊杰高級工程師和Lado Filipovic教授為共同通訊作者。該研究得到了國家重點研發計劃青年科學家項目、國家自然科學基金面上項目、中國科學院國際伙伴計劃等項目的支持。

論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s44172-026-00626-3

圖1 三維刻蝕模型框架（左上）DRAM有源區鰭形結構的FIB-SEM三維重構結果（左下）與仿真結果（右）。