臺積電推1.3nm制程 預計2029年量產

臺積電2026年北美技術論壇昨天在美國加州登場，宣布今年推出最新的A13（1.3nm）制程技術，以滿足客戶對下一代人工智能、高效能運算、以及行動應用永無止境的運算需求，這項制程并訂2029年、即A14生產的隔年量產，技術維持全球領先地位。

三星先前砸重金積極搶購ASML極紫外光（EUV）設備，要在1.4nm縮短與臺積差距；英特爾也評估以其14Ａ制程，承接谷歌、亞馬遜等開發自制芯片（ASIC）訂單，市場解讀臺積電推出A13，捍衛制程領先的意味濃厚。

臺積電表示，A13代表公司對持續創新的承諾，相較于A14，A13節省了百分之六的面積，設計規則也與A14完全向后相容，讓客戶能夠迅速將其設計升級至臺積最新的奈米片電晶體技術。此外，A13透過設計與技術協同優化，提供額外的功耗效率及效能提升。

此外，臺積電全球業務資深副總經理暨副共同營運長張曉強受訪表示，臺積電計劃在2029年前于亞利桑那州啟用一座芯片封裝廠，這座先進封裝廠將具備CoWoS與3D-IC先進封裝能力。

這也是臺積電宣布投資美國一千億美元，增設三座晶圓廠、兩座封裝廠和一座研發中心后，首度明確揭露先進封裝廠時程。這將是臺積在海外首座先進封裝廠。

據了解，從臺積電釋出先進封裝時程，明顯是等亞利桑那州三座新晶圓廠全數量產后，再由亞利桑那州廠的先進封裝廠接手直接在美國封裝，借以避開送回臺灣封好再送至美國服務器廠時，需支付至少百分之十五的關稅。