竊取600項(xiàng)DRAM工藝，三星前工程師泄露核心技術(shù)被判7年，被罰2億韓元

國際電子商情28日訊 據(jù)韓媒報(bào)道， 韓國首爾中央地方法院近日對一起半導(dǎo)體技術(shù)泄露案作出一審判決。一名56歲的三星電子前工程師全某，因向中國半導(dǎo)體企業(yè)泄露核心芯片制造技術(shù)，違反韓國《產(chǎn)業(yè)技術(shù)保護(hù)法》，被判處有期徒刑7年，并處罰金2億韓元（約合92.38萬元人民幣）。

法院審理查明，全某竊取并泄露了三星電子同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）制造過程中約600個詳細(xì)工藝步驟。涉案技術(shù)為三星電子投入約1.6萬億韓元（約合73.9億元人民幣）研發(fā)資金、歷時(shí)五年全球率先研發(fā)出的10納米級DRAM最新工藝。全某在從三星電子離職后，跳槽至一家中國半導(dǎo)體企業(yè)，并在此過程中主要通過手寫筆記的方式，將上述關(guān)鍵技術(shù)信息泄露給中方。

檢方指控顯示，全某以提供涉案技術(shù)信息為代價(jià)，在近6年時(shí)間里從該中國半導(dǎo)體企業(yè)累計(jì)獲利29億韓元（約合1339.5萬元人民幣），其中包括合同獎勵3億韓元、價(jià)值3億韓元的認(rèn)股權(quán)等。法院在最終量刑時(shí)，將該工程師案發(fā)時(shí)在三星的薪酬偏低情況，列為了減刑考量因素。

法院認(rèn)定，被泄露的技術(shù)屬于韓國“國家核心技術(shù)”，全某的行為嚴(yán)重?fù)p害了三星電子的核心競爭力，也給韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)安全造成了重大影響，其泄露行為讓競爭對手獲得了技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢。

此案是去年年底韓國檢方對10名三星前員工提起公訴的商業(yè)竊密系列案中的首起有罪宣判。事實(shí)上，三星電子并非首次遭遇類似技術(shù)泄密事件。2025年，韓國方面曾拘留3名前三星員工，其中包括一名高管，原因是他們涉嫌將三星18納米DRAM存儲芯片技術(shù)泄露給競爭對手。相關(guān)報(bào)道曾估算，此類技術(shù)外泄事件僅2025年就可能已導(dǎo)致三星遭受高達(dá)5萬億韓元（約合230.95億元人民幣）的銷售損失，未來數(shù)年仍可能繼續(xù)造成數(shù)萬億韓元級別的潛在影響。

與此同時(shí)，技術(shù)泄露事件也存在反向案例。2024年，一名在中國工作的韓國籍工程師A某，因涉嫌向韓國泄露中國國內(nèi)存儲芯片機(jī)密，被中國警方逮捕。據(jù)悉，A某也曾是三星電子芯片部門員工，自2016年起先后在多家中國芯片企業(yè)任職。

當(dāng)前全球存儲芯片市場格局正在發(fā)生變化。惠普、華碩、戴爾等頭部終端廠商，正考慮向中國存儲企業(yè)采購內(nèi)存產(chǎn)品。核心原因是主流DRAM廠商均集中產(chǎn)能，優(yōu)先生產(chǎn)AI加速器所需的HBM產(chǎn)品，通用內(nèi)存出現(xiàn)了明顯供應(yīng)缺口。