適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET （ASFET）將SOA增加了166％，并將PCB占用空間減小80％

（企業(yè)供圖）

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本

奈梅亨，2021年8月4日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e－fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。

ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術(shù)與銅夾片封裝結(jié)構(gòu)相結(jié)合，顯著增強安全工作區(qū)（SOA）并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應(yīng)的影響，導(dǎo)致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩(wěn)定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術(shù)消除了“Spirito－knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時SOA增加了166％。

另一項重要改進是數(shù)據(jù)手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產(chǎn)品高級營銷經(jīng)理Mike Becker表示：“以前只在25 °C時指定SOA，這意味著在高溫環(huán)境中的操作，設(shè)計師必須進行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規(guī)范，消除了該耗時的任務(wù)，并證實了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能?！?/p>

全新PSMN4R2－80YSE（80 V，4．2 m）和PSMN4R8－100YSE（100 V，4．8 m）熱插拔ASFET采用兼容Power－SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能，同時大大減小了管腳尺寸。  全新的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1．1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80％和75％。此外，器件的最大結(jié)溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。

Becker補充道：“另外一個優(yōu)點是在需要多個熱插拔MOSFET并聯(lián)使用的高功率應(yīng)用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統(tǒng)成本， Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場領(lǐng)導(dǎo)者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標準?！?/p>

新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)廠制造，已準備好批量生產(chǎn)。

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12，000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。