中芯國(guó)際：FinFET工藝已量產(chǎn) 產(chǎn)能1.5萬(wàn)片

8月5日晚，中芯國(guó)際發(fā)表了2021年Q2財(cái)報(bào)，營(yíng)收13.4億美元，同比增長(zhǎng)43.2%，環(huán)比增長(zhǎng)21,8%，歸母凈利潤(rùn)為6.88億美元，環(huán)比增長(zhǎng)332.9%，同比增長(zhǎng)398.5%。

在財(cái)報(bào)電話會(huì)上，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍也透露了公司的先進(jìn)工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。(這部分)產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來(lái)。”

根據(jù)之前的報(bào)道，中芯國(guó)際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進(jìn)型的12nm，目前1.5萬(wàn)片產(chǎn)能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已經(jīng)試產(chǎn)，但產(chǎn)能不會(huì)有多大。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N＋1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看，與7nm工藝相近。

梁孟松博士也表示，N＋1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些（業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%），所以中芯國(guó)際的N＋1工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。

而在N＋1之后，中芯國(guó)際還會(huì)有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

此外，梁孟松還透露，中芯國(guó)際的28nm、14nm、12nm、N+1等技術(shù)均已進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術(shù)開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成，今年4月可以進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，5nm、3nm最關(guān)鍵也是最艱巨的8大項(xiàng)技術(shù)也已經(jīng)有序展開(kāi)，只等EUV極紫外光刻機(jī)到來(lái)，就可以進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段。