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              三星:正在開發(fā) 8 層 TSV 的 DDR5 內(nèi)存模塊,容量達(dá) DDR4 兩倍

              2021-08-23 來(lái)源:中電網(wǎng)
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              關(guān)鍵詞: 三星 DDR5

              在 HotChips 33 大會(huì)上,三星確認(rèn)正在開發(fā)具有 8 層 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 內(nèi)存模塊,是 DDR4 內(nèi)存容量的兩倍。這意味著理論上,512GB 內(nèi)存模塊是可能實(shí)現(xiàn)的。

              通過(guò)優(yōu)化封裝,三星的 DDR5 內(nèi)存模塊高度將低于 DDR4 4 層內(nèi)存。由于管芯之間的間隙更小(減少 40%)以及通過(guò)實(shí)施薄晶圓處理技術(shù),高度的降低成為可能。重要的是,8 層 TSV 模塊將提供更好的散熱。

              三星預(yù)計(jì) DDR5 內(nèi)存將提供比 DDR4 提升 85% 的性能,提供高達(dá) 7.2 Gbps 的帶寬,以及高達(dá) 512GB 的雙倍容量。同時(shí),新模塊將具有更低的 1.1V 電壓,提高電源效率。

              三星表示,預(yù)計(jì)到 2023/2024 年能夠向主流市場(chǎng)提供該 DDR5 內(nèi)存,數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的產(chǎn)品將更快推出,計(jì)劃在今年年底前生產(chǎn) 512GB 內(nèi)存模塊。



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