三星：3nmGAA研發(fā)進度領先臺積電，將盡早商業(yè)化

8月26日消息，據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術長Jeong Eun-seung周三（25日）在一場網(wǎng)絡技術論壇中表示，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術商業(yè)化。

他說，“我們開發(fā)中的GAA技術，領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”

據(jù)報道，GAA是3納米制程的關鍵。GAA技術的優(yōu)點在于改變電晶體架構，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉為GAA的4D。

行業(yè)分析師指出，誰先將首先將GAA技術商業(yè)化，還有待進一步觀察。這是因為臺積電在早期也積極將該技術商業(yè)化。2011年至2020年間，全球31.4%的GAA專利來自臺積電，三星電子的GAA專利占20.6%。

三星電子表示，其在技術上與臺積電并駕齊驅。Jeong Eun seung指出，三星的晶圓代工事業(yè)2017年才開始，不過我們將憑借在存儲芯片領域的技術根基，超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前，就開發(fā)了一款搭載FinFET技術的14MHz產(chǎn)品。