三星電子官宣3nm將實現量產：性能提升30%，功耗下降50%！

已經是全球第二大芯片代工巨頭的三星,并不滿足于如今的位置,其一直想要超越臺積電坐上全球第一的位置。

為此,三星一直想要搶先臺積電,公布下一代先進芯片制程。在5nm制程上,三星慢了一步;而在接下來將亮相的3nm制程芯片上,三星則有超越的希望。

在日前舉行的“三星代工論壇2021大會”上,三星電子不僅亮出了全新的17nm LPV工藝,更透露了有關3nm芯片的最新消息。據了解,三星電子的新一代3nm芯片將在2022年上半年實現量產。

這一時間雖比三星電子原本計劃中的2021年下半年量產要晚,但比臺積電計劃的2022年年中量產還是更早。而且此前還有消息稱,臺積電3nm將延期發布。

也就是說,在3nm芯片制程上三星有望搶得先機,實現對臺積電的超越。若真如此,憑借著先發優勢三星電子有望搶下更多的客戶,進而提升自己的市場占比。

而且值得注意的是,在3nm制程技術上三星電子更為激進,這就使其產品更為先進。

與繼續沿用更為成熟的FinFET技術的臺積電不同,三星電子認為FinFET晶體管結構的潛力已經不多,因此其率先在3nm工藝中引入了GAA(全環繞柵極晶體管)技術。

與FinFET相比,GAAFET架構的晶體管擁有更優秀的靜電特性,且溝道控制能力更強。因此,GAA技術能實現更小芯片尺寸,從而帶來更強悍的性鞥呢提升。

據了解,三星電子為了發揮GAA的優勢,補足其短板費了不小的功夫。如今來看,三星電子的種種努力并沒有白費。

在日前舉行的論壇中,三星電子表示,其3nm GAA有望讓面積實現35%的縮減,而性能則大增30%,同性能下功耗更是降低50%。這一數值十分亮眼,料想其推出的芯片產品表現也不會差。

據悉,在2022年年初時,3nm 3GAE(低功耗版)有望進入量產階段;而在2023年年初,3nm 3GAP(高性能版)則有望實現量產。

也就是說在3nm芯片上,三星芯片的量產時間與質量,都有望優于臺積電。若真如此,明年或許便是三星電子的圓夢時刻,其有望從臺積電手中搶過蘋果、高通等客戶。

有了在3nm制程上的經驗,三星電子在2nm制程上的GAA技術將更是成熟,三星研發起來也將更加得心應手。因此,在2nm制程上三星電子的進度也有望不輸臺積電。

據了解,三星電子2nm產品有望在2025年實現量產,令人期待。

如今來看,臺積電正面臨著不小的威脅。雖然在芯片代工市場中,臺積電以超半數的市場份額,地位看似穩固。

但其實,三星電子、英特爾等都對臺積電虎視眈眈,且二者都有著不俗的實力。這樣看來,臺積電在未來發展中,還是有著許多的挑戰。

面對這樣的狀況,臺積電將如何應對,這令人十分期待。同時,三星3nm能否按照計劃如期問世,也讓我們拭目以待。