消息稱聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠

10月25日訊，據媒體消息，近日有市場消息稱，聯(lián)電計劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設第二座 12 英寸晶圓廠，月產能至少 2 萬~3 萬片，可能生產 40nm 以下制程的芯片。

據報道，聯(lián)電對此回應稱，新加坡本來就有設廠，在全球有據點的地方持續(xù)評估建廠規(guī)劃，不過目前還沒有確切地點。

據了解，聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū)，于 2004 年開始量產，月產能為 5 萬片，制程為 0.13 微米至 40nm，產品涵蓋 FPGA、無線通訊芯片等。

業(yè)界人士認為，聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程，如 28nm 制程生產芯片。