Intel 4工藝進展順利：每瓦性能提升20%，明年下半年量產

10月底，英特爾發布的12代酷睿不僅采用了全新的“大小核”架構，制程工藝也升級到了Intel 7（之前的10nm SuperFin工藝，相當于臺積電7nm工藝）。根據英特爾的規劃，明年下半年將會量產全新的Intel 4工藝（英特爾之前已多次跳票的7nm工藝，相當于臺積電4nm工藝）。

根據英特爾之前公布的信息顯示，與Intel 7相比，Intel 4的每瓦性能提高了約20% ，同時它也將是首個完全采用EUV光刻技術的英特爾FinFET節點。此前臺積電的7nm EUV工藝也只是少部分環節采用了EUV工藝。

近日英特爾再次曝光了其Intel 4 EUV工藝的最新進展。根據官方放出的48秒視頻展示了基于該工藝生產的晶圓的測試過程，最后的測試結果顯示，整個晶圓上的芯片幾乎通過了所有測試，內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規范，芯片很“健康”。這也意味著Intel 4工藝進展順利，良率已經達到了較高的水平。

Intel沒有公布這個晶圓的具體情況，不過結合之前的信息來看，這個測試的晶圓應該是14代酷睿Meteor Lake，已經在今年第二季度完成計算單元的流片，現在測試非常合理。