2022年中國半導體市場規模及未來發展趨勢預測分析（圖）

中商情報網訊：半導體分立器件主要用于各類電子設備的整流、穩壓、開關、混頻、放大等，具有廣泛的應用范圍和不可替代性。目前半導體分立器件產業通常沿著功率、頻率和微型化等方向發展，形成了新的器件理論和新的封裝結構，各種新型半導體分立器件產品不斷上市，促進著電子信息技術的快速發展。

市場規模

目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會數據，2020年我國半導體分立器件市場規模已達到2763.4億元。就國內市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大，預計2022年我國半導體分立器件市場規模將達3180.3億元。

數據來源：中國半導體行業協會、中商產業研究院整理

產量

從中長期看，國內功率半導體需求將持續快速增長。近年來物聯網、可穿戴設備、云計算、大數據、新能源、醫療電子、VR/AR、安防電子等新興應用領域將成為國內半導體分立器件產業的持續增長點。2020年受疫情影響及出口市場的下滑，我國半導體分立器件產量達7317.7億只，同比下降4.3%，預計2022年我國半導體分立器件產量可達8079.2億只。

數據來源：中國半導體行業協會、中商產業研究院整理

行業技術特點

隨著終端產品的整體技術水平要求越來越高，功率半導體分立器件技術也在市場的推動下不斷向前發展，CAD設計、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進工藝技術已應用到分立器件生產中，行業內產品的技術含量日益提高、制造難度也相應增大。

目前日本和美國等發達國家的功率器件領域，很多VDMOS（功率場效應管）、IGBT產品已采用VLSI（超大規模集成電路）的微細加工工藝進行制作，生產線已大量采用8英寸、0.18微米工藝技術，大大提高了功率半導體分立器件的性能。

未來發展趨勢

1.新產品、新材料不斷涌現，不斷拓展新的應用領域

當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。

SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。新材料半導體的涌現將不斷提升半導體器件的性能，使得產品能夠滿足更多應用領域的需求。

2.小型化、模塊化、系統化程度不斷提升

未來伴隨著移動智能終端、5G網絡、物聯網、新能源、AR/VR等新興行業的發展，新型半導體分立器件將不斷涌現，在替代原有市場應用的同時，將持續開拓新興應用領域。同時，為了使現有半導體分立器件能適應市場需求的快速變化，需要采用新技術、開發新的應用材料、繼續優化完善結構設計、制造工藝和封裝技術等，提高器件的性能。

此外，下游電子信息產品小型化、智能化發展趨勢，必然要求內嵌其中的半導體分立器件等關鍵零部件盡可能小型化、微型化以及多功能化。為適應整機裝配效率和提高整機性能可靠性、穩定性的要求，半導體分立器件將趨于體積小型化、組裝模塊化、功能系統化。

3.產業鏈屬性決定IDM將成為主流發展模式

由于分立器件在投資規模方面采用IDM模式具備經濟效益上的較強可行性，同時半導體分立器件的產品設計和生產工藝都對產品性能產生較大影響，對企業設計與工藝結合能力要求較高，業內領先企業一般沿著原有業務進行產業鏈延伸，逐步完善IDM模式發展。

分立器件行業發展IDM模式有兩種典型路徑：一類是以芯片技術為基礎的公司，該類企業通常在特定品種的分立器件擁有較強的競爭優勢，為客戶提供自主芯片對應的分立器件，在發展過程中逐步補強封測技術和產能。另一類是以封測技術為基礎的公司，該類企業具備“多品種、多規格”的產品系列，可以為客戶提供“一站式”采購服務，在發展過程中不斷發展芯片技術和產能。