臺(tái)積電慌了，3nm芯片加急，技術(shù)路線也需要調(diào)整？

作為全球最牛的兩家芯片代工廠，臺(tái)積電與三星的最直接激烈的競(jìng)爭(zhēng)，應(yīng)該是14nm工藝開(kāi)始，那時(shí)候三星在梁孟松的帶領(lǐng)下，搞了一個(gè)14nm的FinFET工藝，而臺(tái)積電還是16nm。

所以三星的14nmFinFET工藝一出來(lái)，就從臺(tái)積電那搶到了部分蘋(píng)果的訂單，對(duì)臺(tái)積電造成了很大的影響。

但總體來(lái)講，三星實(shí)力還是不如臺(tái)積電，所以后面在臺(tái)積電努力之下，三星慢慢的又落后于臺(tái)積電了，按照2021年3季度的數(shù)據(jù)來(lái)看，臺(tái)積電的份額已經(jīng)高達(dá)53％，而三星只有17％左右，但從技術(shù)上來(lái)看，三星是緊咬臺(tái)積電，都實(shí)現(xiàn)了5nm，明年進(jìn)入3nm。

而3nm對(duì)于三星而言，就又一個(gè)類似于當(dāng)年14nmFinFET的機(jī)會(huì)，因?yàn)槿堑?nm要采用GAAFET技術(shù)，而臺(tái)積電還守著老的FinFET技術(shù)。

更重要的是，按照臺(tái)積電之前的說(shuō)法，臺(tái)積電的3nm還要延期4個(gè)月到半年左右，可能要2023年才出貨。

這就相當(dāng)于又給了三星機(jī)會(huì)，只要三星提前臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)3nm，并且采用的是GAAFET技術(shù)，那么就會(huì)再次領(lǐng)先臺(tái)積電，在當(dāng)前芯片產(chǎn)能這么緊張的情況下，完全有可能從臺(tái)積電那搶到訂單。

而三星也一再表示，自己的3nmGAAFET技術(shù)不會(huì)延期，明年上半年就會(huì)量產(chǎn)，這就給了臺(tái)積電巨大的壓力。

于是近日，有媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電正積極加快3nm量產(chǎn)腳步，爭(zhēng)取不落后于三星，即明年一定要交付，不要等到2023年。

不僅如此，臺(tái)積電也不再死守FinFET工藝了，之前臺(tái)積電是計(jì)劃到2nm時(shí)才使用GAAFET技術(shù)，但如今也計(jì)劃在3nm時(shí)，不僅有FinFET技術(shù)的芯片，也有GAAFET技術(shù)的芯片，雙線路齊發(fā)。

明顯就是不希望在3nm上落后于三星，然后被三星搶走了市場(chǎng)。不過(guò)三星也表示，到2030年前要成為全球第一大芯片代工廠，接下來(lái)我們就可以看臺(tái)積電和三星是如何“神仙打架”的了。