國內(nèi)首款，1.6Tb/s硅光芯片研制成功，加速國產(chǎn)替代進程

國內(nèi)首款1.6Tb/s硅光互連芯片研制完成

近日，國家信息光電子創(chuàng)新中心、鵬城實驗室、中國信息通信科技集團光纖通信技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司，在國內(nèi)率先完成了1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證，實現(xiàn)了我國硅光芯片技術(shù)向Tb/s級的首次跨越。

據(jù)介紹，研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器，每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉(zhuǎn)換，最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試，完成了單片容量高達8×200Gb/s光互連技術(shù)驗證。

該工作刷新了國內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平，展現(xiàn)出硅光技術(shù)的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢，為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

硅光或成為下一代通信技術(shù)

目前，國際上400G光模塊進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術(shù)標準正在推進中，800G和1.6Tb級網(wǎng)絡(luò)成為行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新突破的焦點。隨著數(shù)據(jù)中心以及5G時代運營商數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)持續(xù)快速建設(shè)，下游運營商及數(shù)據(jù)中心對光模塊的關(guān)鍵需求依舊會是是高速率、高密度、低成本和低功耗。

傳統(tǒng)的可插拔光模塊由于功率及尺寸限制，難以承擔高密度高速率的光路最后一米傳輸，此外由于銅傳輸電信號的速率瓶頸，未來芯片與芯片間的傳輸將呈現(xiàn)光進銅退的趨勢。硅光集成技術(shù)或成為未來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的可靠方案。

光芯片是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵核心器件，硅光芯片作為采用硅光子技術(shù)的光芯片，是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路。硅光具備超高兼容性、超高集成度、強大的集成能力、強大規(guī)模制造能力等技術(shù)能力，未來潛在優(yōu)勢明顯，是目前前沿廠商聚焦的焦點。

與傳統(tǒng)分立式方案相比，硅光模塊將多路激光器，調(diào)制器和多路探測器等光/電芯片都集成在硅光芯片上，體積大幅減小，有效降低材料成本、芯片成本、封裝成本，同時也能有效控制功耗。硅光模塊憑借上述優(yōu)勢有望在數(shù)據(jù)中心和中長距離相干通信等應(yīng)用場景取得更大份額，或?qū)⒏淖儌鹘y(tǒng)競爭格局。