3nm芯片真來了，三星稱即將量產，采用GAA技術領先臺積電
雖然在2021年時，大家就都知道2022年會是3nm芯片的量產之時，因三星、臺積電都有過表示，但具體是什么時候，大家都沒有細說。
而近日，終于傳出了確切消息，那就是三星代工市場戰略團隊負責人Moonsoo Kang正式對外表示，2022上半年三星第一代的3nm GAA （3GAAE）制程技術將量產，最遲不會超過二季度，而下半年將開始商業化生產。
此外，Moonsoo Kang還表示，三星的3nm芯片，會按照之前的計劃，采用GAAFET晶體管技術，而不是繼續使用從14nm就開始的FinFET晶體管技術。
而基于GAA技術，三星還將開發出第二代GAA技術，稱之為3GAAP（3nm Gate－All－Around Plus），預計于明年，也就是2023年量產。
估計聽到這個消息后，臺積電還是有點慌的，并不是因為三星要量產3nm芯片了，而主要是因為三星使用了GAA晶體管技術，確實比臺積電在3nm時使用的FinFET晶體管更先進。
GAA晶體管能夠提供比FinFET 技術更好的靜電特性，能夠讓芯片進一步微縮，也就是晶體管密度更大，另外還能降低柵極電壓，讓功耗降低。
所以如果三星的GAA技術的3nm芯片進展迅速，良率比較高的話，對于臺積電而言，確實是一個非常大的壓力，說不定能夠從臺積電這搶到更多的客戶。
而按照三星的說法，3nmGAA芯片，較上一代的5nm的FinFET技術，面積能夠縮小35％，性能提高30％，或功耗提高50％。
接下來就讓我靜態三星新一代的3nm芯片何時量產了，我想臺積電也是在拭目以待，看看三星能不能借3nm工藝，威脅到自己的地位，畢竟三星一直想要打敗臺積電，成全球代工廠商中的冠軍的。
當然，臺積電和三星在3nm競爭，于我們而言，只是神仙打架，畢竟中芯才14nm，離3nm還好幾代，再加上10nm以下的設備受限，可以說離3nm還遙不可及。
