集邦：2021 年至 2025 年第三代功率半導(dǎo)體年復(fù)合增長率達 48%

集邦咨詢發(fā)布報告稱，目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧鲜蔷邆涓吖β始案哳l率特性的寬帶隙（Wide Band Gap，WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用多為電動汽車、快充市場。

據(jù)集邦咨詢研究測算，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從 2021 年的 9.8 億美元，成長至 2025 年的 47.1 億美元，年復(fù)合增長率達 48%。

報告稱，目前在各大襯底供應(yīng)商的開發(fā)下，包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等廠商陸續(xù)擴增產(chǎn)能，并將在 2022 年下半年量產(chǎn) 8 英寸襯底，預(yù)計第三代功率半導(dǎo)體未來幾年產(chǎn)值仍有增長空間。