集邦：2021 年至 2025 年第三代功率半導體年復合增長率達 48%

集邦咨詢發布報告稱，目前最具發展潛力的材料是具備高功率及高頻率特性的寬帶隙（Wide Band Gap，WBG）半導體，包含碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），主要應用多為電動汽車、快充市場。

據集邦咨詢研究測算，第三代功率半導體產值將從 2021 年的 9.8 億美元，成長至 2025 年的 47.1 億美元，年復合增長率達 48%。

報告稱，目前在各大襯底供應商的開發下，包括 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等廠商陸續擴增產能，并將在 2022 年下半年量產 8 英寸襯底，預計第三代功率半導體未來幾年產值仍有增長空間。