借力意法FD-SOI 三星eMRAM進駐MCU早有計劃
為什么說三星16nm MCU的關鍵在于MRAM技術，一半是進入20nm以下領域，除了eMRAM暫無他法。另一半則在于，三星在MRAM技術上的布局由來已久，而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀，也有跡可循。
在2002年開啟MRAM研發工作后，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發，該技術后來被證明可以滿足高性能計算領域對最后一級緩存的性能要求，被認為是MRAM突破利基市場的利器，已成為包括臺積電在內的代工廠攻克MRAM的主要方向。
在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調，在這期間，與FinFET技術齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發展，為MRAM的商業化應用埋下了伏筆。
2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協議，授權三星在芯片量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年，三星成功生產了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產首款商用eMRAM。
據三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術制作的eMRAM模塊，只要增加3個掩模，就可以集成到芯片制造過程的后端。因此，該模塊被允許插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工藝生產的芯片中，而不一定取決于所使用的前端制造技術。
由此也可以看出，三星與意法半導體早已在eMRAM領域進行了深入的綁定，由此推測三星憑借eMRAM技術拿下意法半導體16nm MCU外包訂單也順理成章。另外，從三星近年來的對外發言中也可知，其對eMRAM應用至MCU早有計劃。
2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術將用于下一代SoC和MCU，NXP也由此成為三星MCU代工的首個客戶。
2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同時即表示，MCU將是eMRAM的主要應用方向之一，未來將繼續擴大其嵌入式非易失性內存產品，其中包括1gb eMRAM測試芯片，并計劃使用其18FDS工藝制造eMRAM，以及更先進的基于FinFET的節點。
三星宣布將改進其MRAM的MTJ功能，使其適合更多的應用。而在第五屆年度三星代工論壇上，三星進一步表示，其正在推進其14nm工藝，下一代eMRAM的目標是MCU、物聯網、可穿戴設備等應用。
方案介紹
基于MCU的LED可控硅調光電源
方案簡介
LED驅動，可定制恒壓、恒流，MCU智能化檢測技術，可兼容市面所有主流的調光器及系統，提供軟、硬件全套量產資料。
性能參數
行業分類 : 智能家居
開發平臺 : Holtek 合泰
交付形式 : 整機,軟件
性能參數 : 10-200W
應用場景 : 應用于調光燈帶及LED筒燈
基于新唐MS51開發的電池管理系統（BMS）—單顆MCU（無AFE）方案
方案簡介
1：基于MS51開發由分立器件組成的電池管理系統（BMS）方案，是電池與用戶之間的紐帶，主要就是為了提高電池的利用率，防止電池出現過度充電和過度放電。
2：LED指示說明
?藍燈長亮系統開機狀態
?閃亮表示進入充電狀態
?藍燈滅進入待機狀態，按按鍵或者外部電源插入時開機
性能參數
行業分類 : 電源電池
開發平臺 : Nuvoton 新唐
交付形式 : PCBA
性能參數 : 運行速度 : 24 MHz,電池電壓測量 : 5至10節
應用場景 : BMS 電池保護板
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