深?lèi)?ài) F系列高壓MOSFET ---卓越耐壓與高性?xún)r(jià)比的平衡之道

      

1. 電場(chǎng)分布對(duì)耐壓的限制：

高壓MOS承受反向耐壓時(shí)，芯片源區(qū)邊緣因結(jié)彎曲易導(dǎo)致電場(chǎng)集中，成為薄弱點(diǎn)，引發(fā)過(guò)早擊穿。        

2. 創(chuàng)新終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：

深?lèi)?ài)半導(dǎo)體F系列采用VLD與浮空?qǐng)霭鍏f(xié)同的終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過(guò)雙重優(yōu)化機(jī)制改善電場(chǎng)分布，顯著提升擊穿電壓與器件可靠性。

2.1 VLD（橫向變摻雜）技術(shù)解析：

基于離子注入工藝控制，通過(guò)調(diào)節(jié)掩膜開(kāi)孔尺寸實(shí)現(xiàn)摻雜濃度梯度變化形成橫向漸變的P型摻雜區(qū)，等效增大耗盡層曲率半徑。相比傳統(tǒng)場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)，在相同耐壓規(guī)格下可縮減終端面積30-50%。難點(diǎn)是劑量需要精確匹配，對(duì)設(shè)備要求高。 

2.2 浮空?qǐng)霭澹‵loating FP）技術(shù)要點(diǎn)：

通過(guò)浮空金屬電極的電荷感應(yīng)效應(yīng)重構(gòu)表面電場(chǎng)。優(yōu)化設(shè)計(jì)的氧化層厚度可有效抑制場(chǎng)板邊緣電場(chǎng)集中。在面積與電場(chǎng)均勻性之間取得平衡。 

2.3 復(fù)合結(jié)構(gòu)的協(xié)同效應(yīng)

（1）耐壓性能提升：VLD優(yōu)化體內(nèi)電場(chǎng)分布，浮空?qǐng)霭甯纳票砻骐妶?chǎng)，綜合提升擊穿電壓。

（2）成本優(yōu)勢(shì)：優(yōu)化的終端結(jié)構(gòu)減少芯片面積，提升每片晶圓的產(chǎn)出量。

（3）可靠性增強(qiáng)：平滑的電場(chǎng)分布降低熱載流子效應(yīng)，提升器件使用壽命。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域：

工業(yè)電源系統(tǒng)、新能源電力轉(zhuǎn)換裝置、大功率消費(fèi)電子。

4. 深?lèi)?ài)優(yōu)勢(shì)：

在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，深?lèi)?ài)對(duì)FLR和FP技術(shù)進(jìn)行了深度優(yōu)化。深?lèi)?ài)半導(dǎo)體F系列高壓MOSFET通過(guò)創(chuàng)新的VLD+浮空?qǐng)霭鍙?fù)合終端設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了終端結(jié)構(gòu)參數(shù)的精確優(yōu)化、嚴(yán)格的工藝過(guò)程控制、量產(chǎn)穩(wěn)定性和一致性的保障，為客戶(hù)提供了高可靠性、高性?xún)r(jià)比的功率器件解決方案。