美光唱旺存儲(chǔ) 啟動(dòng)大擴(kuò)產(chǎn) 南亞科、華邦等沾光

美國(guó)存儲(chǔ)大廠美光受惠AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)缺貨漲價(jià)潮，上季財(cái)報(bào)與本季展望優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，本季毛利率預(yù)估沖破八成，創(chuàng)半導(dǎo)體制造業(yè)驚人記錄，甚至比英偉達(dá)與臺(tái)積電還高，CEO梅羅塔高喊存儲(chǔ)持續(xù)供不應(yīng)求，將擴(kuò)大本年度與明年度資本支出擴(kuò)產(chǎn)。

美光3月18日舉行財(cái)報(bào)會(huì)議，宣布截至8月底止的本年度資本支出將逾250億美元，明年度資本支出更將“大幅提高”，制造設(shè)備與廠房興建相關(guān)成本將增加逾百億美元。

法人指出，美光持續(xù)看旺后市，中國(guó)臺(tái)灣南亞科、華邦、威剛、十銓、宜鼎、群聯(lián)等存儲(chǔ)相關(guān)廠商也將沾光，惟美光大手筆擴(kuò)產(chǎn)，也讓市場(chǎng)憂心后續(xù)新產(chǎn)能開出后，是否影響存儲(chǔ)“景氣超級(jí)周期”走勢(shì)。

受相關(guān)疑慮影響，加上股價(jià)已先行創(chuàng)高，美光公布財(cái)報(bào)后，3月18日盤后股價(jià)由紅翻黑，下跌近4%，19日早盤一度重挫6%。臺(tái)灣存儲(chǔ)相關(guān)族群則走勢(shì)不同調(diào)，威剛、十銓、宜鼎等逆勢(shì)收紅；華邦、南亞科跌逾4%。

美光結(jié)算，上季營(yíng)收239億美元，季增75％，年增196％。其中，占該公司近八成業(yè)績(jī)的DRAM相關(guān)營(yíng)收年增2.07倍，儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)（NAND Flash）業(yè)績(jī)則年增1.69倍。

美光上季獲利更是驚人，Non-GAAP毛利率高達(dá)74.9％；凈利140.2億美元，季增1.55倍，年增6.86倍；凈利率達(dá)59％，稀釋每股純益12.2美元。美光表示，上季DRAM平均銷售單價(jià)季增約65％，NAND芯片平均銷售單價(jià)則季增約78％。

美光CEO梅羅塔指出，上季表現(xiàn)超乎預(yù)期，“營(yíng)收、毛利率、每股純益及自由現(xiàn)金流全都創(chuàng)新高”。

更令市場(chǎng)驚艷的是，美光估本季營(yíng)收將達(dá)335億美元，超越該公司2024會(huì)計(jì)年度以前的全年業(yè)績(jī)，毛利率展望達(dá)約81％，毛利率預(yù)估甚至比英偉達(dá)、臺(tái)積電都高。梅羅塔預(yù)期，本季營(yíng)收、毛利率及自由現(xiàn)金流也將創(chuàng)紀(jì)錄，AI與傳統(tǒng)服務(wù)器正面臨“缺乏充足的DRAM和NAND芯片供應(yīng)”。

美光透露，業(yè)績(jī)與展望之所以能大幅提升，主要是AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)性供應(yīng)限制，以及公司在各方面強(qiáng)大執(zhí)行力所共同促成的結(jié)果。該公司并透露，簽署了第一份長(zhǎng)達(dá)五年的供貨合約協(xié)議。

數(shù)據(jù)中心用的HBM方面，美光指出，HBM4產(chǎn)品產(chǎn)能爬坡與量產(chǎn)出貨持續(xù)推進(jìn)，預(yù)期將比HBM3E更快達(dá)到夠成熟的良率。為英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)生產(chǎn)的HBM4將在今年6月至8月間量產(chǎn)，下一代HBM4E開發(fā)順利，估計(jì)明年開始量產(chǎn)。