傳聯(lián)電接2D NAND代工

市場(chǎng)最新消息顯示，晶圓代工廠聯(lián)電近期傳出有望接獲 SLC、MLC Flash 代工訂單，若順利落地，將有望打破未來(lái) 2D NAND 閃存市場(chǎng)寡占供貨的局面。當(dāng)前三星、美光、鎧俠等頭部存儲(chǔ)原廠正集體退出 2D NAND 領(lǐng)域，全球低容量閃存供給持續(xù)收緊，為代工切入創(chuàng)造了窗口期。

2026 年以來(lái)，2D NAND 價(jià)格漲勢(shì)兇猛，SLC、MLC 等低容量產(chǎn)品供需缺口尤為突出，價(jià)格較此前已翻漲近 10 倍，4 月單月 MLC NAND 價(jià)格更上調(diào)近 30%。在頭部原廠全力轉(zhuǎn)向 3D NAND 與 HBM 等高毛利賽道、2D NAND 產(chǎn)能持續(xù)收縮的背景下，下游工業(yè)、車載等剛需領(lǐng)域迫切尋求新的供應(yīng)來(lái)源。

據(jù)供應(yīng)鏈透露，已有亞洲客戶與聯(lián)電就閃存代工事宜展開磋商，雙方探討了技術(shù)授權(quán)與產(chǎn)能合作的可行性。不過(guò)業(yè)內(nèi)也指出，聯(lián)電切入 2D NAND 代工仍面臨人才、制程整合能力及專用設(shè)備三大核心瓶頸，短期量產(chǎn)落地仍存在不確定性。

若聯(lián)電成功切入該領(lǐng)域，將成為少數(shù)具備 2D NAND 代工能力的廠商，有望分流現(xiàn)有供給、緩解市場(chǎng)缺口，重塑利基存儲(chǔ)市場(chǎng)的供應(yīng)格局。目前聯(lián)電官方未對(duì)相關(guān)傳聞置評(píng)，但其已宣布 2026 年下半年調(diào)漲晶圓代工價(jià)格，市場(chǎng)猜測(cè)與潛在存儲(chǔ)代工訂單帶來(lái)的產(chǎn)能需求提升有關(guān)。