安徽首家落地！深圳瑞馳助力安徽醫科大學第一附屬醫院真正實現“藥等人”！
在智慧醫療快速發展的今天，藥房自動化已成為提升醫院服務效率、優化患者體驗的重要一環。近日，安徽醫科大學第一附屬醫院率先引入深圳瑞馳智慧藥房整體解決方案，成為瑞馳安徽省首家落地醫院。這一創新舉措，不僅極大提升了處方處理能力，更真正實現了“藥等人“的服務新模式，為患者帶來更快捷、更安全的取藥體驗。
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兆易創新GD32H78D/77D系列MCU強勁來襲，以澎湃算力驅動圖形交互新體驗
商兆易創新宣布，正式推出GD32H78D/77D系列高性能32位通用微控制器，產品基于高性能Arm? Cortex?-M7內核，主頻高達750MHz，配備高速大容量內存架構及640KB可與CPU同頻運行緊耦合內存（TCM），搭載專用數學加速引擎及豐富的外設接口，實現了高性能、低功耗與專用加速器的完美融合 -
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電容在電源電路、音頻電路、射頻電路中的作用
電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。電容器是一種基本的線性電子元件。電容器在電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補償、充放電、儲能、隔離直流電路中都有應用。 電子產品，電容無疑是一種不可或缺的器件，其廣泛應用于電源電路、音頻電路以及射頻電路等多個領域。接下來，我們將深入探討電容的基礎知識，帶你全面了解這一關鍵電子元件。電容，英文為“Capacitance”，也常被稱作“電容量”，它衡量的是在特定電位差下，電荷的儲存量。這一物理量以C表示，其國際單位是法拉(F)。簡單來說，當電荷在電場中受到力的作用而發生移動時，若導體間存在介質，便會阻礙電荷的移動，導致電荷在導體上累積，這種現象即為電容的形成。電容的計算公式為：C=εS/4πkd。其中，ε代表介電常數，S是電容極板的正對面積，d是極板間的距離，而k則是靜電力常量。特別地，對于平行板電容器而言，其電容可簡化為C=εS/d，其中ε為極板間介質的介電常數，S為極板面積，d為極板間的距離。 -
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如何為10-30W反激LED驅動電源選擇與優化MOSFET？
合科泰針對10-30W反激式LED驅動應用推出系列化產品，該系列MOS管具備600V電壓額定值，RDS(on)低至0.12Ω，Qg僅15nC，體二極管反向恢復時間50ns、反向恢復電流1.5A，同時提供TO-220F、PDFN5x6等封裝選項適配不同散熱與空間需求。合科泰可提供全流程技術支持，協助客戶在效率、EMI、成本之間找到最佳平衡，實現LED驅動電源的高效、可靠、低成本目標。 -
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MOS管應用中，常見的各種‘擊穿’現象
mos管也稱場效應管，這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場效應晶體管(利用電場控制電流)，由金屬氧化物半導體制成，是目前使用最廣泛的生產技術。在功率MOSFET領域，碳化硅(SiC)也被使用，因為它是電源、逆變器和其他應用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發和生產，我們廣泛的低中高耐壓設備產品線具有低損耗、高速度、低導通電阻和小封裝等特點—適合各種應用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。
