華潤微電子2大項目迎來新進展，國產功率半導體好消息頻傳

12月29日，據華潤微電子官方公眾號消息，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產線以及先進功率封測基地實現通線。

公開資料顯示，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產線項目總投資75.5億元，項目建成后預計將形成月產3-3.5萬片12英寸中高端功率半導體晶圓生產能力，并配套建設12英寸外延及薄片工藝能力。

據悉，從項目公司注冊成立，華潤微電子僅用18個月即實現包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結SJ MOS在內的四個產品平臺全部通線，該項目進入產品投產流通與產能建設上量并行階段。

此外，華潤微電子先進功率封測基地項目，是華潤微電子布局的中高端功率封裝項目，致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場、國內工藝全面、技術先進、規模領先的功率半導體專用封測工廠，包括模塊級、晶圓級、框架級、面板級多條封裝測試生產線。項目2021年11月正式開工；今年7月，先進功率封測基地成功實現主體封頂；12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產品順利產出，良率99.5%，各項指標滿足產品規范，項目成功通線。

伴隨著華潤微旗下潤西微電子重慶12英寸車規級功率器件晶圓生產線和配套的車規級先進功率半導體封測基地建成投產，華潤微車規級功率器件產業基地已初步成型，將持續支撐公司產品應用升級，進一步完善在車規功率半導體領域的布局。

除了華潤微電子外，士蘭微，斯達半導、安世半導體、東微半導體、新潔能等企業在高壓、低壓MOSFET和IGBT器件等領域實現突破，產品在市場上嶄露頭角。

士蘭微方面，2022年10月24日，士蘭微發布公告稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，目標在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片生產能力。

斯達半導則在2022年公司基于第六代Trench Field Stop技術的車規級IGBT模塊獲得多個平臺/項目定點，對標英飛凌的第七代FS-Trench型新一代車規級IGBT芯片也取得突破性進展，進一步鞏固其龍頭地位。

安世半導體方面，則不斷加強在中高壓Mosfet、化合物半導體產品SiC和GaN產品布局，2022年5月，安世半導體已在奧地利薩爾茨堡與Kyocera AVX Components簽署了一項協議，生產氮化鎵（GaN）汽車功率模塊。該協議目標是以新的封裝技術為基礎，共同開發用于電動汽車的GaN應用。

東微半導體方面，其TGBT產品經過2021年下半年的小批量過程，2022年進入高速增長階段，成為公司業務的新增長點。其推出高功率超級結產品，相繼研發了并聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體，已有產品的工作電壓范圍已覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋至15A-160A。

新潔能則在2022年4月表示，公司的碳化硅產品1200V SiC MOSFET首次流片驗證完成，產品部分性能達到國內先進水平。此外，其600V-1350V的溝槽型場截止IGBT、500V-900V的第三代超結功率 MOSFET、30V-300V的屏蔽柵功率MOSFET、12V-250V的溝槽型功率MOSFET均已實現量產及系列化。