最新全球IGBT供應(yīng)端產(chǎn)能與需求進(jìn)展情況分析

展望2023年，全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，加上經(jīng)濟(jì)陰霾恐導(dǎo)致電動(dòng)車市場增速走緩，其余IGBT相關(guān)應(yīng)用中，僅新能源發(fā)電新增裝機(jī)量動(dòng)能明確，因此2023年全球IGBT供需缺口將收窄，當(dāng)前短缺現(xiàn)象逐漸邁入尾聲。

來源：網(wǎng)絡(luò)

機(jī)構(gòu)分析顯示，IGBT芯片市場價(jià)格由行業(yè)供應(yīng)端、制造端及消費(fèi)端共同作用而成、并逐級傳導(dǎo)。供應(yīng)端的成本價(jià)格包括原材料及輔料價(jià)格、人力價(jià)格、設(shè)備廠房價(jià)格、燃料動(dòng)力價(jià)格等，其中原材料價(jià)格受礦產(chǎn)資源、國際形勢、突發(fā)事件的影響極大，也是影響IGBT市場價(jià)格的重要因素；供應(yīng)端價(jià)格傳導(dǎo)至制造端形成了生產(chǎn)成本，制造業(yè)綜合供需溢價(jià)、研發(fā)成本和企業(yè)利潤，形成“制造端價(jià)格”傳導(dǎo)至消費(fèi)端，而消費(fèi)市場需求彈性也反作用于供應(yīng)端、制造端，形成“價(jià)格-需求-價(jià)格”的傳導(dǎo)路徑來影響IGBT芯片市場定價(jià)。

國內(nèi)來看，資料顯示，目前中國IGBT芯片行業(yè)自給率較低，大部分依賴進(jìn)口，國內(nèi)主要市場份額被英飛凌、富士、三菱等企業(yè)壟斷。由于IGBT單管及模塊企業(yè)同樣是主要的IGBT芯片生產(chǎn)企業(yè)，故從IGBT單管及模塊市場集中度來大致反映國內(nèi)IGBT芯片市場集中度狀況，2020年，全球IGBT單管市場CR3、CR5、CR10分別為54.2%、657.4%、85.7%；全球IGBT模塊市場CR3、CR5、CR10分別為57.6%、66.7%、79.1%。綜合來看，IGBT單管及模塊市場集中度高，市場份額被頭部企業(yè)壟斷，大致可以反映出我國IGBT芯片市場集中度同樣較高，國外頭部企業(yè)及國內(nèi)代表性企業(yè)占據(jù)了主要市場份額。

另一方面，我國IGBT芯片廠商生產(chǎn)模式各有不同，其下游客戶及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域也有所差異。例如，士蘭微下游主要市場為白電、工控、新能源車、光伏領(lǐng)域；華潤微下游主要應(yīng)用于工控、新能源車領(lǐng)域；時(shí)代電氣主要布局軌交、電網(wǎng)、新能源車、新能源發(fā)電領(lǐng)域；斯達(dá)半導(dǎo)主要開拓工業(yè)、新能源車、光伏下游領(lǐng)域；新潔能下游市場為光伏、白電領(lǐng)域；宏微科技主要布局工控、光伏、新能源車領(lǐng)域。

數(shù)據(jù)顯示，主要代表企業(yè)中，時(shí)代電氣2021年整體營業(yè)收入規(guī)模最大，為151億元，但I(xiàn)GBT業(yè)務(wù)收入占比較少，約為6%；斯達(dá)半導(dǎo)IGBT業(yè)務(wù)專注度較高，雖然整體營收規(guī)模一般（約為17億元），但I(xiàn)GBT收入達(dá)16億元，占比超過94%。從企業(yè)IGBT芯片業(yè)務(wù)的競爭力來看，斯達(dá)半導(dǎo)的綜合競爭能力較強(qiáng)。

從五力競爭模型角度分析，我國IGBT芯片行業(yè)上游國產(chǎn)化程度較低，供應(yīng)能力有限，且定制化程度較高，供應(yīng)上議價(jià)能力較強(qiáng)；IGBT芯片市場需求空間較大，產(chǎn)品同質(zhì)化較低，對外依賴較大，消費(fèi)者議價(jià)能力較弱；IGBT芯片行業(yè)對潛在進(jìn)入者的吸引力較大，但面臨著資金、技術(shù)、人才等高壁壘，綜合來看，行業(yè)潛在進(jìn)入者威脅一般；IGBT芯片是目前我國鼓勵(lì)的發(fā)展方向，在多個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用程度較深，在新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域的應(yīng)用空間將逐漸擴(kuò)大，因此，行業(yè)替代品威脅較低；此外，我國IGBT芯片行業(yè)處于成長期，國產(chǎn)替代的背景下，行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有競爭者競爭較為激烈。

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，中國IGBT產(chǎn)品與國際巨頭英飛凌、三菱電機(jī)等差距在10年以上，步入第5代后，預(yù)計(jì)差距將縮短為10年，第6/7代產(chǎn)品差距將在5年以內(nèi)。從中國IGBT芯片行業(yè)代表性企業(yè)從技術(shù)格局來看，斯達(dá)半導(dǎo)應(yīng)用第七代IGBT技術(shù)，電壓覆蓋范圍為100-3300V；華微電子布局第六代IGBT技術(shù)，電壓覆蓋范圍為360-1350V；士蘭微、時(shí)代電氣、宏微科技應(yīng)用第五代IGBT技術(shù)；新潔能主要應(yīng)用第四代IGBT技術(shù)。