國產(chǎn)內(nèi)存事件告訴我們，依賴美國設(shè)備，芯片產(chǎn)業(yè)就不能高調(diào)

如果關(guān)注芯片產(chǎn)業(yè)的人都清楚，最近幾年，網(wǎng)上會傳出各種突破、打破壟斷的消息，國產(chǎn)DNAND閃存突破，國產(chǎn)DRAM突破，國產(chǎn)芯片工藝突破，國產(chǎn)GPU、AI芯片、RISC-V芯片、光刻機、刻蝕機突破等等。

當然，這些消息雖然大部分為假的，但也有幾件是真的，比如國產(chǎn)NAND閃存就真的突破了，長江存儲是全球第一家量產(chǎn)出貨232層 3D NAND閃存的廠商（當然這事不是長江存儲自己說的，是一些媒體報道并拆解SSD產(chǎn)品得出的結(jié)論，然后引發(fā)全網(wǎng)關(guān)注）。

三星、SK海力士、美光這次都落后于長江存儲了，這確實是一個好消息，證明了國產(chǎn)存儲芯片崛起了，達到了全球第一的水平。

不過隨著發(fā)生的事情，大家就清楚了，長江存儲被美國拉入了黑名單，然后先進工藝的設(shè)備就受限，像美國的KLA Corp. ( KLAC ) 和泛林集團 ( Lam Research Co., LRCX ) 等，就暫停了對長江存儲已安裝設(shè)備的支持，暫停了新設(shè)備的安裝調(diào)試，同時暫時撤出他們在長江存儲駐廠的員工。

這對長江存儲會產(chǎn)生什么影響？意味著先進工藝的擴產(chǎn)就會受限，本來依靠232層依靠的技術(shù)，可以迅速擴大市場規(guī)模，縮小與三星、美光等的差距，如今被限，窗口期基本就消失了。

我想說的是，通過這件事情，我們應(yīng)該認識到一件事情，那就是當前我們的芯片產(chǎn)業(yè)，還相當依賴美國的技術(shù)/設(shè)備，比如EDA、比如半導體設(shè)備、材料、技術(shù)等。

所以切忌太高調(diào)，還是“猥瑣發(fā)浪”比較好。也就是說就算有了突破，也不要到處宣傳，自己默默發(fā)展就行。

而一些媒體，也不要天天鼓吹某某某有突破，又打破美國壟斷等，或許本來是個假消息，最后引發(fā)全網(wǎng)沸騰，說不定都有可能造成非常嚴重的后果。

只有當我們不需要依賴美國的技術(shù)，完全獨立自主有突破了，有了絕對的實力，已經(jīng)不怕這個先進技術(shù)隨時被卡，才可以放心大膽的向世界宣告，你覺得呢？

雖然這樣感覺會很憋屈，但是總比你吹完牛皮后，就被人一把捏死要好得多，你覺得呢？