日本：7月23日起將限制尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備出口

據(jù)日媒報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省5月23日公布了外匯法法令修正案，將先進芯片制造設(shè)備等23個品類追加列入出口管理的管制對象，上述修正案在經(jīng)過2個月的公告期后，將在7月23日實行。

據(jù)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省稱，該計劃涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻、檢查等23個種類，包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備和三維堆疊存儲元件的蝕刻設(shè)備等。就計算用邏輯半導(dǎo)體的性能而言，它是制造電路線寬10至14納米或更小的尖端產(chǎn)品的必備設(shè)備。

具體來看，日本政府新增的半導(dǎo)體方向出口管控對象明細(xì)：

• 清洗設(shè)備：半導(dǎo)體前段工藝除去表面異物的清洗設(shè)備；

• 成膜設(shè)備：利用等離子旋轉(zhuǎn)晶圓，形成原子級別膜的設(shè)備，利用EUV光掩膜的成膜設(shè)備，準(zhǔn)確形成硅膜、硅化合物膜的設(shè)備；

• 熱處理：通過熱處理，除去薄膜內(nèi)空隙的設(shè)備；

• 曝光：EUV涂覆、顯影設(shè)備，防護板(EUV光掩膜方向)生產(chǎn)設(shè)備，ArF液浸式曝光設(shè)備；

• 蝕刻：具有立體結(jié)構(gòu)的最尖端的蝕刻設(shè)備；

• 檢查：EUV光掩膜檢測設(shè)備。

3月31日發(fā)表的半導(dǎo)體制造設(shè)備貿(mào)易管制規(guī)則

事實上，日本政府早在3月31日發(fā)表了半導(dǎo)體制造設(shè)備貿(mào)易管制規(guī)則，將限制23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口。當(dāng)時消息稱，在征求公眾意見后，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省計劃于5月發(fā)布修訂后的省令，并于7月實施。

日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔當(dāng)天向媒體表示：“我們正在履行我們作為一個技術(shù)國家的責(zé)任，為國際和平與穩(wěn)定作出貢獻”。他強調(diào)，日本希望阻止其先進技術(shù)被用于軍事目的，并沒有考慮到具體的國家。

但此舉仍然遭到各界強烈反對。中國是在日本半導(dǎo)體設(shè)備出口對象國家中占比達(dá)到4成的最大市場，預(yù)計Tokyo Electron（TEL）和SCREEN控股等十幾家日本企業(yè)將受到影響。此外，摩擦和業(yè)務(wù)萎縮趨勢也有可能在貿(mào)易管制范圍之外的商業(yè)領(lǐng)域擴大。

當(dāng)時有報道稱，日本一家大型半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)的相關(guān)負(fù)責(zé)人感到困惑：“我們做出了各種各樣的設(shè)想，但比預(yù)想的更難理解。”

中方回應(yīng)

5月23日，商務(wù)部新聞發(fā)言人就此事答記者提問時表示，日本政府正式出臺針對23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對此堅決反對。

在日方措施公開征求意見期間，中國產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評論意見，多家行業(yè)協(xié)會公開發(fā)表聲明反對日方舉措，一些日本行業(yè)團體和企業(yè)也以各種方式表達(dá)了對未來不確定性的擔(dān)憂。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應(yīng)業(yè)界合理訴求，將嚴(yán)重?fù)p害中日兩國企業(yè)利益，嚴(yán)重?fù)p害中日經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系，破壞全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全和穩(wěn)定。

日方應(yīng)從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關(guān)舉措阻礙兩國半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權(quán)利，堅決維護自身合法權(quán)益。