臺(tái)積電、三星和英特爾同臺(tái)角力，半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)啟“超精細(xì)”競(jìng)賽

6 月 9 日消息，根據(jù)國(guó)外科技媒體 patentlyapple 報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)正開(kāi)啟“超精細(xì)”（Ultra-Fine）競(jìng)賽，臺(tái)積電、三星和英特爾正在舞臺(tái)上角力。

臺(tái)積電：

臺(tái)積電作為全球排名第一的代工企業(yè)，已著手開(kāi)發(fā) 2 納米工藝，鞏固其代工的地位，也進(jìn)一步拉開(kāi)和其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

臺(tái)積電已派遣大約 1000 名研發(fā)人員入駐新竹科學(xué)園區(qū)，建設(shè)“Fab 20”，為蘋(píng)果和英偉達(dá)試產(chǎn) 2nm 工藝產(chǎn)品。

IT之家注：臺(tái)積電日前宣布旗下第六家先進(jìn)封裝和測(cè)試工廠正式開(kāi)業(yè)，成為臺(tái)積電第一家實(shí)現(xiàn)前端到后端流程 3DFabric 一體化，和測(cè)試服務(wù)的綜合工廠。

三星：

三星電子于 2022 年 6 月宣布使用全能柵極 （GAA） 工藝量產(chǎn) 3 納米芯片，比臺(tái)積電早了 6 個(gè)月。

三星電子 DS 部門(mén)總裁、三星電子 DS 部門(mén)總裁 Kyung Kye-hyun 于 5 月初在大田 KAIST 的一次演講中表示，從 2 納米工藝開(kāi)始，追趕臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

英特爾：

英特爾計(jì)劃在 2024 年下半年改進(jìn)代工廠，制造 1.8 納米范圍的芯片。今年 3 月，該公司制定了一項(xiàng)計(jì)劃，通過(guò)與 ARM 建立合作伙伴關(guān)系，使用 1.8 納米工藝開(kāi)發(fā)下一代移動(dòng)片上系統(tǒng)（SoC）。

業(yè)內(nèi)人士有些悲觀地認(rèn)為，即使英特爾按照路線圖成功，對(duì)于公司來(lái)說(shuō)，達(dá)到理想的收支平衡率也將是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

英特爾 6 月 1 日召開(kāi)的活動(dòng)中，宣布了全新的 PowerVia 技術(shù)，希望擴(kuò)大其在代工行業(yè)的影響力。