削減成本，消息稱蘋果明年 A17 Bionic 芯片采用臺(tái)積電 N3E 工藝

根據(jù)國(guó)外科技媒體 MacRumors 報(bào)道，蘋果今年推出的 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 均搭載 A17 Bionic 處理器和明年推出的 A17 版本存在差異：前者采用臺(tái)積電 N3B 工藝，而后者采用增強(qiáng)版 N3E 工藝。

相比較基于 5nm 工藝的 A14、A15 和 A16 芯片，蘋果本次推出的 A17 Bionic 首次采用 3nm 制造工藝。

報(bào)道稱 iPhone 15 Pro 系列所用 A17 Bionic 采用 N3B 工藝，而明年推出的機(jī)型將全面切換到 N3E 工藝。

報(bào)道，臺(tái)積電談到了 3nm 基礎(chǔ)版 (N3B) 節(jié)點(diǎn)以及 3nm 增強(qiáng)型 (N3E) 的部分?jǐn)?shù)據(jù)。簡(jiǎn)單來說，N3E 是 N3B 稍微“廉價(jià)”一些的版本，放在最終芯片上可以說相比性能更注重的是功耗控制方面。對(duì)于新的 N3E 節(jié)點(diǎn)，高密度 SRAM 位單元尺寸并沒有縮小，依然是 0.021 μm2，這與 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同。

N3B 實(shí)裝了 SRAM 縮放，其單元大小僅有 0.0199μm2，相比上一個(gè)版本縮小了 5%。N3E 的內(nèi)存密度（ISO-assist circuit overhead）大約為 31.8 Mib / mm2。