不黑不吹，僅光刻機突破28nm，救不了中國半導體產業

按照命名法，目前只有EUV光刻機、DUV光刻機，其中DUV又分為浸潤式光刻機ArFi，干式光刻機ArF Dry。KrF光刻機、I線、G線光刻機的說法。

而這些光刻機，又對應不同的工藝制程的，業界其實是沒有什么90nm、28nm、7nm光刻機之類的說法。

但最近，卻總有新聞說國產28nm光刻機要來了，所以我也搞不懂，這個28nm光刻機，究竟是屬于哪一種？猜測應該是浸潤式光刻機中的一種吧，那為何他又是28nm呢？這個28nm是指最高工藝制程是28nm，還是指分辨率什么呢？

如果指最高工藝的話，這個28nm究竟是怎么得出來的，浸潤式不應該是最高7nm么，而普通的ArF Dry最高一般是65nm？

然后如果指分辨率的話，如下圖所示，ASML的浸潤式光刻機NXT:1980Di分辨率為38nm，但能制造7nm芯片，這個28nm分辨率豈不是更先進了？

所以我有一點糊涂了，搞不清楚，這個28nm光刻機，究竟是怎么回事。

另外還值得一提的，很多人總以為，有了這臺光刻機，國產芯片就有救了，再也不怕被卡脖子了，我覺得這事也值得商榷的，在我看來，僅有光刻機的突破，是救不了中國半導體的。

芯片制造，需要上百種半導體設備，光刻機只是產線上的一個主要設備，其他設備的國產替代和追趕同樣重要。

這是從網絡上得出一張圖，顯示的是幾大關鍵設備，目前國際先進水平，與國內先進水平的差距情況表。

大家一看就知道，目前國內的關鍵設備，更多還是在14nm，而光刻機公開的是在90nm，未證實的是28nm，中間還是差的有點距離的。

除了這些設備之外，芯片制造過程中，還需要幾十上百種材料，比如光刻膠、靶材、特種氣體等等，有些材料，目前僅日本能制造，比如EUV光刻膠等。

你看看，這僅僅是一臺光刻機的事情么？是眾多個與光刻機一樣重要的事情結合在一起，光刻機只是其中的一環而已。

說實話，目前美帝如果僅自己一家的力量，也搞不定14nm芯片，必須整合全球供應鏈，一個國家想要高度國產化搞定芯片產業鏈，制造出先進的芯片來，需要連續不斷N多年如一日地投資投資再投資。

不僅要投資半導體設備、材料企業，還要想辦法讓下游的企業，有動力用國產芯片，而芯片企業有動力購買國產設備、國產材料，這個過程需要巨額投資，更需要時間，不是一臺光刻機就能夠解決的事情。