東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業設備的高效率和小型化

2023-08-29 來源：華強電子網

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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款2200V產品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

應用：

工業設備

- 可再生能源發電系統（光伏發電系統等）

- 儲能系統

- 工業設備用電機控制設備

- 高頻DC-DC轉換器等設備

特性：

- 低漏極-源極導通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

- 低開通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低關斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

- 低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號				MG250YD2YMS3
東芝封裝名稱				2-153A1A
絕對最大額定值	漏源電壓VDSS（V）			2200
	柵源電壓VGSS（V）			＋25／－10
	漏極電流（DC）ID（A）			250
	漏極電流（脈沖）IDP（A）			500
	結溫Tch（℃）			150
	絕緣電壓Visol（Vrms）			4000
電氣特性	漏極-源極導通電壓（傳感器）： VDS(on)sense（V）	ID＝250A、VGS＝＋20V、 Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極導通電壓（傳感器）： VSD(on)sense（V）	IS＝250A、VGS＝＋20V、 Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極關斷電壓（傳感器）： VSD(off)sense（V）	IS＝250A、VGS＝－6V、 Tch＝25℃	典型值	1.6
	開通損耗 Eon（mJ）	VDD＝1100V、 ID＝250A、Tch＝150℃	典型值	14
	關斷損耗 Eoff（mJ）		典型值	11
	寄生電感LsPN（nH）		典型值	12