說實話，中國芯從14nm進入7nm不那么難，但5nm就難了

關于我們的芯片工藝，究竟是多少納米，爭論已經好幾年了。有人說是14nm，有人說是10nm、7nm，反正最終也沒爭論出一個結果來。

不過，最近似乎有了一個結果了，那就是7nm，至于為什么是7nm，這個估計大家懂的，那就是華為mate60Pro這款手機給大家揭開謎底的，麒麟9000S芯片嘛。

很多人表示，既然就這么低調的搞定了7nm，是不是意味著接下來5nm也快了？

當然，從理論上來講，技術是在不斷進步的，任何封鎖都只能封鎖一時，不能封鎖永久，所以5nm肯定是能夠搞定的。

不過，從另外一方面來看，我們從之前的14nm進入7nm確實相對容易一些，不那么難，但要進入5nm，難度就大很多了。

我不是長他人志氣，滅自己人威風，而是從技術的發展或者顛覆性程度來看，確實是如此。

從光刻機，大家就基本能夠看出端倪來，DUV光刻機可以用于130nm-7nm工藝。而其中ArF這種干式光刻機，用于130nm-65m。而ArFi這種浸潤式光刻機，可以用于65-7nm。

大家就基本能夠判斷出，很多的半導體設備，其實就像ArFi這種浸潤式光刻要一樣，其實14nm、10nm、7nm是通用的。

比如刻蝕機也是如此，14nm、10nm、7nm工藝的也是通用的，還有一些清洗等設備，也是如此。

所以當我們擁有14nm技術時，代表著其中已經擁有了進入7nm的設備基礎，很多設備通用，那么再不斷的調整，鉆研，突破，進入7nm相對而言，也就不那么難了。

但進入5nm就完全不一樣了，目前進入5nm工藝，必須用到EUV光刻機，這種光刻機，我們從來沒有購買到過。

另外與EUV光刻機配合的，又是另外整套的設備，與原來設備不相同的，比如掩膜版制造也完全不一樣了，還有清洗設備、VCD設備等等，都是全新一套的。

然后光刻膠也不一樣了，必須用到EUV光刻膠，還有一些材料等，全部要重新升級，不像原來的DUV光刻機，以及很多材料、設備能夠通用。

關鍵是現在對于5nm及以下工藝的設備，國內也沒有存貨，因為一直以來就是封鎖對象，買不到。

所以相對而言，要進入5nm工藝，確實要比進入7nm難一些，但不管多難，我們肯定也是要突破的，只是時間問題。