說實(shí)話，中國芯從14nm進(jìn)入7nm不那么難，但5nm就難了

關(guān)于我們的芯片工藝，究竟是多少納米，爭論已經(jīng)好幾年了。有人說是14nm，有人說是10nm、7nm，反正最終也沒爭論出一個(gè)結(jié)果來。

不過，最近似乎有了一個(gè)結(jié)果了，那就是7nm，至于為什么是7nm，這個(gè)估計(jì)大家懂的，那就是華為mate60Pro這款手機(jī)給大家揭開謎底的，麒麟9000S芯片嘛。

很多人表示，既然就這么低調(diào)的搞定了7nm，是不是意味著接下來5nm也快了？

當(dāng)然，從理論上來講，技術(shù)是在不斷進(jìn)步的，任何封鎖都只能封鎖一時(shí)，不能封鎖永久，所以5nm肯定是能夠搞定的。

不過，從另外一方面來看，我們從之前的14nm進(jìn)入7nm確實(shí)相對容易一些，不那么難，但要進(jìn)入5nm，難度就大很多了。

我不是長他人志氣，滅自己人威風(fēng)，而是從技術(shù)的發(fā)展或者顛覆性程度來看，確實(shí)是如此。

從光刻機(jī)，大家就基本能夠看出端倪來，DUV光刻機(jī)可以用于130nm-7nm工藝。而其中ArF這種干式光刻機(jī)，用于130nm-65m。而ArFi這種浸潤式光刻機(jī)，可以用于65-7nm。

大家就基本能夠判斷出，很多的半導(dǎo)體設(shè)備，其實(shí)就像ArFi這種浸潤式光刻要一樣，其實(shí)14nm、10nm、7nm是通用的。

比如刻蝕機(jī)也是如此，14nm、10nm、7nm工藝的也是通用的，還有一些清洗等設(shè)備，也是如此。

所以當(dāng)我們擁有14nm技術(shù)時(shí)，代表著其中已經(jīng)擁有了進(jìn)入7nm的設(shè)備基礎(chǔ)，很多設(shè)備通用，那么再不斷的調(diào)整，鉆研，突破，進(jìn)入7nm相對而言，也就不那么難了。

但進(jìn)入5nm就完全不一樣了，目前進(jìn)入5nm工藝，必須用到EUV光刻機(jī)，這種光刻機(jī)，我們從來沒有購買到過。

另外與EUV光刻機(jī)配合的，又是另外整套的設(shè)備，與原來設(shè)備不相同的，比如掩膜版制造也完全不一樣了，還有清洗設(shè)備、VCD設(shè)備等等，都是全新一套的。

然后光刻膠也不一樣了，必須用到EUV光刻膠，還有一些材料等，全部要重新升級，不像原來的DUV光刻機(jī)，以及很多材料、設(shè)備能夠通用。

關(guān)鍵是現(xiàn)在對于5nm及以下工藝的設(shè)備，國內(nèi)也沒有存貨，因?yàn)橐恢币詠砭褪欠怄i對象，買不到。

所以相對而言，要進(jìn)入5nm工藝，確實(shí)要比進(jìn)入7nm難一些，但不管多難，我們肯定也是要突破的，只是時(shí)間問題。