會(huì)議嘉賓亮相丨連接科技領(lǐng)袖，共創(chuàng)寬禁帶半導(dǎo)體未來!

2023-09-25 來源：ESSHOW電子物料采購(gòu)展覽會(huì)

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寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，寬禁帶半導(dǎo)體在領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用前景。

根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)的全球規(guī)模預(yù)計(jì)將從 2020 年的 27.6 億美元增長(zhǎng)到 2027 年的 86. 5億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 17.5%。其中，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模較大，占據(jù)了市場(chǎng)份額的大部分，而氮化鎵（GaN）市場(chǎng)規(guī)模也在逐年增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)未來幾年，隨著新能源汽車的普及和5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進(jìn)，寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng) 將持續(xù)保持高速增長(zhǎng)。

由深圳市電子商會(huì)和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦，China i2i Group，溢輝源展覽（深圳）有限公司協(xié)辦，將于今年10月12日在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館) 3號(hào)館 3H88 會(huì)議區(qū)線下舉辦 Bodo’s 寬禁帶半導(dǎo)體論壇。該活動(dòng)已連續(xù)6年在德國(guó)成功舉辦，聚集了全球數(shù)百名行業(yè)專家，分享寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和最新成就。