意法半導體數字隔離器采用新型厚氧化物電流隔離技術，可提高性能和可靠性
意法半導體開始量產STISO621雙通道數字隔離器，該新系列高性能隔離器適合工業控制應用，可以替代普通的光耦器件。
STISO621的兩個隔離區域之間數據傳輸速率達到100Mbit/s，脈沖失真低于3ns，采用意法半導體的6kV厚氧化層電流隔離技術。該器件有兩路獨立的單向通道，可以適用于處理雙向數據的UART收發器接口。每路通道都有施密特觸發器輸入，確保隔離器有較高的抗噪能力。
在相互電流隔離的STISO621兩端，電源電壓彼此獨立。每個電源可以在3.3V和5.5V的寬電壓范圍之間轉換電平。65kV/μs的典型共模瞬變抗擾度(CMTI)可保護低壓側，在惡劣環境中免受高開關瞬變影響。
STISO621適用于電源、電機驅動器、儀表、逆變器、電池監測器、電器、現場總線隔離器、對尺寸要求嚴格的多通道隔離適配器，以及整個工業自動化系統中的常規隔離等各種工業和消費類應用。產品設計符合高壓隔離設備測試規范VDE0884-10和UL 1577。
評估板EVALSTISO62XV1有助于加快多種應用場景的設計速度。意法半導體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統用例制作的參考設計。這個設計集成了用于分離高電壓域的STISO621與意法半導體的高精度STPMS2計量前端IC，還提供在STM32微控制器運行的用于計算測量三相數據和電能質量數據的專用固件。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統故障期間，保持電流隔離功能的完整性。有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
