繞過美國禁令，ASML或閹割浸潤式光刻機精度，特供中國？

眾所周知，以前美國是不準EUV光刻機賣到中國來，其它的光刻機不受限。

后來在去年10月份，將光刻機禁令升級了，規定光刻機如果采用193nm波長的光源，且分辨率小于45nm時，其光刻機套刻精度的DCO值小于1.5nm時， 不準出口。

按照這個規定，ASML的浸潤式光刻機中，還有NXT:1980Di可以出口，因為它的DCO值是1.6nm。

而在8月份，華為Mate60 手機橫空出世，搭載了麒麟9000S芯片，這顆芯片采用的是等效于7nm的工藝，很多人認為，這是浸潤式光刻機經過多重曝光生產出來的。

于是在今年10月17日，美國升級光刻機禁令，規定193nm波長的光源，分辨率小于45nm時，其DCO值小于2.4nm，就不能出口，相當于將唯一的一臺浸潤式光刻機，也堵住了。

這對于ASML而言，肯定是大事，畢竟中國大陸的市場，是ASML無法放棄的市場。2022年，中國從ASML買了大約100臺光刻機，價值高達200多億。

而2023年前三個季度，ASML就向中國賣了53億歐元的光刻機，價值400多億，是去年全年的2倍多，第三季度的時候，中國大陸貢獻了ASML營收的46%。

這樣的市場，ASML怎么舍得？再說了，ASML擔心一旦它的光刻機不賣到中國市場，中國會自己研發出來，那么就沒ASML什么事了。

所以近日有消息稱，ASML看到NVIDIA刀法如神，每次都能按照美國的禁令，進行精準閹割，推出不違反禁令，又能賣到中國大陸市場的GPU芯片之后，有了誰啟發，決定對其光刻機也進行閹割。

按照禁令，浸潤式光刻機，采用193nm波長的光源，分辨率小于45nm，但只要DCO值大于2.4nm即可銷量，小于2.4nm就不能銷售。

所以ASML計劃將現有的浸潤式光刻機進行調整，光源不變，分辨率不變依然保持38nm，但DCO值調整，讓其變成2.4nm以上，這樣就可以出口了。

而DCO值調整之后，對芯片制造的分辨率有一定的影響，比如生產先進芯片時，有可能會影響到良率，效率等，但至少已經不受限制了。

浸潤式光刻機，與非浸潤式光刻機相比，就算DCO值變成2.4nm+了，工藝也會先進很多，目前中國大陸無法生產出浸潤式光刻機，上海微電子的工藝還在90nm，這樣閹割的浸潤式光刻機，依然大有市場。

當然，以上只是傳聞，會不會如此，還不清楚，但參照Nvidia迅速推出中國特供版本GPU芯片來看，ASML這么干，也非常有可能，你覺得呢？

這樣的光刻機，我們買不買？不黑不吹，在自己沒有浸潤式光刻機之前，只能買，畢竟它還是比普通干式光刻機強很多的，所以關鍵還是國產光刻機突破。