Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨

基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩定性和效率。級聯配置無需復雜的驅動電路，加快了產品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。

NexperiaGaN戰略市場總監Dilder Chowdhury解釋說：“鈦金級是80 PLUS?規格中最嚴苛的，滿載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。對于2 kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統硅器件來實現這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統成本。”