尼康浸潤式光刻機上新：效率提升15%，支持5nm芯片，不能賣給中國

眾所周知，在沒有進入浸潤式光刻機技術之前，當時光刻機技術是采用193nm波長的光源，生產普通的ArF光刻機，最多支持到65nm工藝的芯片。

當時尼康、佳能才是光刻機老大，ASML只是一家小企業，完全不具備競爭力。

從193nm波長光源之后，業界對下一步采用什么光源操碎了心，佳能、尼康認為要使用154nm，這樣支持的芯片就可以進入到28nm及以下，跨過65nm這個坎。

但這時候，臺積電的林本堅認為，不一定非得采用154nm波長的光源，繼續使用193nm光源，但在晶圓前加一層水，光線通過水后折射，就等效于134nm了，這樣比154nm更短，理論分辨率更高，制造的芯片工藝也越先進。

但佳能、尼康在154nm波長光源上已經投入太多，不相信林本堅提出的方案，覺得還是繼續研究154nm光源比較好，免得前期的研究浪費了。

只有ASML覺得自己反正是小廠，已經在佳能、尼康的光刻機面前快要活不下去了，不如配合臺積電折騰一把，萬一成功了呢？

誰知道這一折騰，真讓ASML成功了，推出了ArFi光刻機，介質是水，不再是空氣，也叫做浸潤式光刻機，之所以叫浸潤式，就是因為其使用的是水，是濕潤的。

而尼康、佳能選借了路線，154nm光源的光刻機，一直研發不出來，最后不得不放棄，轉向浸潤式光刻機。

但佳能一直沒研發出來，尼康倒是研發出來了，不過其效率、工藝均達不到ASML的水平，所以慢慢也被邊緣化了，ASML份額越來越高，最后ASML獨占90%的市場，尼康+佳能合計僅10%左右。

但近日，尼康終于表示，自己的浸潤式光刻機又上新了，采用了增強型的浸潤式系統，可以具有更好的精度，導致生產速度增加了，相比于上一代效率提高了10-15%，是尼康有史以來效率最高的光刻機。

同時因為精度提高，所以新的浸潤式光刻機，可以支持到5nm芯片，也就是說不需要EUV光刻機，也能夠進入7nm以下了。

不過，按照日本的禁令，40nm以下的光刻機，均不能賣給中國大陸，所以尼康的浸潤式光刻機雖好，依然無法解決我們的光刻機困擾，我們還得靠自研。

另外佳能如今也出貨納米壓印光刻機，最高也能夠支持5nm芯片，可見日本在光刻機方面，可能又要支棱起來了， 不知道ASML會不會擔憂？