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              2024年QLC SSD出貨量大增4倍,然供應(yīng)商寥寥無幾

              2024-04-25 來源:國際電子商情
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              關(guān)鍵詞: SSD 三星 MLC

              據(jù) TrendForce數(shù)據(jù)顯示,隨著能源效率成為人工智能推理服務(wù)器的首要任務(wù),北美客戶正在增加存儲產(chǎn)品的訂單。這反過來又推動了對 QLC 企業(yè)級 SSD 的需求。目前,只有 Solidigm 和三星擁有經(jīng)過認(rèn)證的 QLC 產(chǎn)品,其中 Solidigm 正在積極推廣其 QLC 產(chǎn)品,并將從需求激增中獲益最多。


              TrendForce預(yù)測 QLC 企業(yè)級 SSD 的出貨量將在 2024 年達(dá)到 30EB,較 2023 年增長四倍。


              TrendForce認(rèn)為QLC SSD在AI應(yīng)用中的使用越來越多的兩個主要原因:


              • 產(chǎn)品的快速讀取速度

              • TCO(總體擁有成本)優(yōu)勢

              AI推理服務(wù)器主要執(zhí)行讀取操作,其發(fā)生頻率低于AI訓(xùn)練服務(wù)器所需的數(shù)據(jù)寫入頻率。與 HDD 相比,QLC 企業(yè)級 SSD 提供卓越的讀取速度,并且容量已擴(kuò)展至 64 TB。


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              此外,通用服務(wù)器中使用的主流HDD通常提供20到24TB的容量,而單個64TB QLC企業(yè)級SSD不僅功耗更低,而且存儲容量所需的空間也更少,從而顯著降低TCO。


              隨著AI訓(xùn)練成為高能耗應(yīng)用,存儲產(chǎn)品越來越重視能源效率,大容量QLC企業(yè)級SSD成為各大AI客戶追捧的解決方案。


              QLC SSD 供應(yīng)商所剩無幾

              TrendForce報告顯示,2023年第4季度,三星在企業(yè)級SSD領(lǐng)域占據(jù)了40%以上的市場份額,而QLC企業(yè)級SSD的老牌廠商Solidigm,合計市場份額(SK集團(tuán))為32%。其他市場份額低于 10% 的供應(yīng)商的增長潛力有限。


              由于QLC訂單不斷增加,Solidigm計劃在2H24擴(kuò)大其144層器件的生產(chǎn)。專注于176層器件且沒有面臨重大競爭對手的三星正受益于大容量QLC產(chǎn)品的供應(yīng)緊張。預(yù)計這將推動企業(yè)級 SSD 合同價格在第三季度上漲,預(yù)計季度漲幅為 5% 至 10%。


              消費(fèi)者需求下滑,NAND Flash晶圓價格呈現(xiàn)疲軟跡象

              對其他最終用戶需求的觀察表明,PC 和智能手機(jī)客戶的 NAND 閃存庫存持續(xù)上升。客戶端 SSD、eMMC 和 UFS 等產(chǎn)品的平均售價在短期內(nèi)已從低點(diǎn)反彈超過 60%。然而,由于需求滯后,預(yù)計價格進(jìn)一步上漲將放緩。模塊制造商通過在現(xiàn)貨市場上以低于合同價格出售 NAND Flash 晶圓來減少庫存,進(jìn)一步壓低價格。


              TrendForce認(rèn)為,由于NAND Flash供應(yīng)商計劃于2H24提高產(chǎn)能利用率,消費(fèi)級產(chǎn)品的季度合約價格將面臨挑戰(zhàn),導(dǎo)致NAND Flash的季度合約價格表現(xiàn)較企業(yè)級SSD弱。


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              附:量化SLC、MLC、TLC、QLC性能對比

              • SLC(Single-Level Cell):即單層單元閃存,每個單元存儲 1 個比特的數(shù)據(jù)。

              • MLC(Multi-Level Cell):即多層單元閃存,每個單元存儲 2 個比特的數(shù)據(jù)。

              • TLC(Triple-Level Cell):即三層單元閃存,每個單元存儲 3 個比特的數(shù)據(jù)。

              • QLC(Quad-Level Cell):即四層單元閃存,每個單元存儲 4 個比特的數(shù)據(jù)。

              化一下就是:

              • SLC(單層存儲單元)理論擦寫次數(shù)10萬次,

              • MLC(雙層存儲單元)3000-10000次;

              • TLC(三層存儲單元)500-1000次;

              • QLC(四層存儲單元)僅僅150次

              綜合來看:

              • 存儲密度:QLC > TLC > MLC > SLC。QLC 每個單元存儲的數(shù)據(jù)最多,因此密度最高。

              • 讀寫性能:SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的讀寫性能最佳,因為每個單元存儲的數(shù)據(jù)最少,讀寫時干擾最小。

              • 壽命:SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的壽命最長,因為每個單元的存儲壓力較小。

              • 價格:SLC > MLC > TLC > QLC。SLC 的成本最高,因此價格最貴。



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