武漢大學集成電路學院正式成立，聚焦攻克“卡脖子”技術

武漢是中國重要的光電子信息產業基地，集成電路產業的集聚效應正在形成。

7月10日，武漢大學集成電路學院成立大會在圖書館報告廳舉行，該學院的成立，將進一步強化武漢在半導體領域的創新優勢。從國家戰略層面看，此次合作是落實《中國制造2025》和“十四五”規劃中集成電路發展目標的重要實踐。通過高校科研力量與企業產業化能力的結合，有望加速國產芯片技術的自主化進程，減少對外依賴。

服務國家需求，打造一流學科

武漢大學校黨委書記黃泰巖、校長張平文院士，湖北省經濟和信息化廳副廳長郭波，武漢市委常委、東湖高新區黨工委書記沈悅，以及劉經南、姜德生、丁榮軍、郝躍、俞大鵬、任占等多位院士出席，共同見證這一里程碑事件。長江存儲科技有限責任公司董事長陳南翔代表企業簽署戰略合作協議，標志著產學研深度融合邁入新階段。

黃泰巖在致辭中強調，成立集成電路學院是武漢大學主動服務國家戰略、促進湖北支點建設的重要舉措。學院將圍繞國家重大需求，聚焦“卡脖子”技術攻關，深化多學科交叉融合，力爭在EDA工具、高端芯片設計、先進封裝及第三代半導體器件等領域產出一批原創性成果，為科技自立自強提供支撐。

張平文宣讀學院成立文件時指出，學院旨在一體推進教育、科技、人才事業發展，強化學科組織建制對學科建設、科技創新的支撐作用，助力武漢大學“5-10年建成中國特色世界一流大學”戰略目標。

揭牌儀式 

在揭牌儀式上，黃泰巖、張平文、張榮、沈悅、郭波、劉經南、姜德生、丁榮軍、郝躍、俞大鵬、任占、宋保亮、劉勝、陳南翔共同為集成電路學院揭牌。首任院長劉勝院士在發展報告中系統闡述了學院的建設背景與規劃：

• 學科特色：依托武漢大學物理、化學等學科優勢，聚焦后摩爾時代集成電路新問題，以物理思維推動技術彎道超車；

• 人才培養：構建“設計-制造-封測-可靠性”全鏈條培養體系，強化理論與實踐結合；

• 科研方向：重點突破EDA工具、高端芯片、先進封裝等核心技術，推動產學研協同創新。

據《湖北日報》報道，該學院將整合武漢大學在電子工程、材料科學、計算機科學等領域的學科優勢，設立“芯片設計-制造工藝-封裝測試”全鏈條研究方向，并重點布局存儲芯片、人工智能芯片等前沿領域。

人才短缺是制約中國半導體產業發展的核心問題之一。武漢大學集成電路學院將通過“雙導師制”“企業實習基地”等方式，推動學生與產業需求的對接。根據《中國教育在線》報道，學院計劃每年招收約200名本科生和研究生，并與長江存儲等企業合作開設“定制化課程”，強化學生在芯片設計、工藝開發等實踐能力。

此外，學院還將設立“長江存儲獎學金”，優先支持參與企業研發項目的學生。這一舉措不僅有助于緩解產業人才缺口，也為學生提供了直接參與前沿技術研發的機會。

長江存儲簽約，共育復合型人才

近年來，中國半導體產業快速發展，但在高端芯片制造領域仍面臨關鍵技術受制于人的局面。以存儲芯片為例，中國是全球最大的存儲芯片消費市場，但自給率長期偏低。

長江存儲作為中國存儲芯片領域的領軍企業，通過自主研發實現了3D NAND閃存技術的突破，成為全球少數具備先進存儲芯片量產能力的企業之一。然而，技術迭代速度加快和人才短缺問題，仍是制約產業發展的關鍵因素。

長江存儲科技有限責任公司董事長陳南翔在會上表示，將與武漢大學探索“產教融合、協同育人”新模式，培養兼具理論基礎與工程能力的復合型人才。雙方簽署戰略合作協議，承諾開放資源支持學院發展，助力打造國家集成電路人才培養與科技創新高地。

據悉，雙方合作聚焦于聯合實驗室建設和技術攻關項目，計劃在3D NAND閃存、先進封裝技術等領域開展聯合研發，并共建“存儲芯片創新中心”。長江存儲董事長楊道虹在簽約儀式上表示：“校企合作是推動技術突破的重要路徑，我們將為學院提供研發資源和產業化支持，共同培養具備國際競爭力的人才。”

西安電子科技大學郝躍院士代表兄弟高校發言，建議學院“心系國之大者”，聚焦國家戰略需求培養卓越人才，深化產教融合，打造協同創新生態。廈門大學黨委書記張榮院士期待兩校在集成電路領域深化合作，實現“軟件”與“硬件”協同共振，共鑄“中國芯”。

背景延伸：武大集成電路學科發展歷程

此前，武漢大學在集成電路領域已有深厚積累。作為我國最早建立集成電路學科的院校之一，其物理系系主任戴春洲先生于 1956 年參加在北京大學開辦的五校聯合半導體專門化班學習，1957 年回校后即組織建立 “半導體專門化” 專業并招收學生，是中國最早的半導體物理專業之一。

從上世紀 50 年代以來，武漢大學集成電路學科不斷建立、發展、壯大，并于 2020 年經學校批準成立武漢大學微電子學院，如今正式成立集成電路學院，進一步彰顯了學校在該領域的決心和實力。