JSM2003STR250V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

在電力電子領域，功率驅動芯片猶如 “神經中樞”，直接決定著功率器件的開關效率、系統穩定性與安全可靠性。隨著電機控制、智能家電、逆變器等領域對高性能驅動芯片的需求激增，一款能兼容經典型號、且在性能上實現突破的驅動芯片，成為工程師們的迫切需求。

杰盛微（JSMSEMI）深耕功率半導體領域多年，重磅推出的JSM2003STR 250V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片，不僅完美替代 TF2003M、IRS2003 等經典型號，更在可靠性、效率與適配性上實現全面升級，為工業與消費電子領域提供了更優解。

一、概覽

        JSM2003是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。JSM2003采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。

        JSM2003其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達 250V。JSM2003采用 SOP-8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作。

二、產品特性

• 自舉工作的浮地通道

• 最高工作電壓為+250V

• 兼容 3.3V, 5V 和 15V 輸入邏輯

• dVs/dt 耐受能力可達+50 V/ns

• Vs 負偏壓能力達-9V

• 柵極驅動電壓從 10V到 20V

• 集成欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閾值 8.9V

  --欠壓鎖定負向閩值 8.2V

• 防直通死區邏輯

  --死區時間設定 520ns

• 芯片傳輸延時特性

  --開通/關斷傳輸延時 Ton/Toff=160ns/150ns

  --延遲匹配時間 30ns

• 寬溫度范圍-40°C~125°C

• 輸出級拉電流/灌電流能力 290mAV600mA

• 符合 RoSH 標準

• SOP-8

三、應用范圍

• 電機控制

• 空調/洗衣機

• 通用逆變器

• 微型逆變器驅動

四、技術參數詳解：硬核實力看得見

1. 極限工作范圍

• 超過極限最大額定值可能造成器件永久性損壞。所有電壓參數的額定值是以 VSS 為參考的，環境溫度為 25℃。

2. 推薦工作范圍：

• 為了正確地操作，器件應當在以下推薦條件下使用。Vs和 VSS 的偏置額定值是在電源電壓為 15V 時進行測量的，無特殊說明的情況下，所有電壓參數的額定值是以 VSS 為參考的，環境溫度為25℃。
  

五、引腳功能描述

六、功能框圖

杰盛微深耕半導體領域十余年，始終以 “國產替代，性能更優” 為目標。從芯片設計到封裝測試，全流程自主可控，確保每一顆 JSM5109G 都符合車規級質量標準。

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