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              碳化硅產業多點開花時代開啟,哪些A股上市公司已搶占制高點?

              2025-10-11 來源:愛集微
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              關鍵詞: 碳化硅半導體產業 SiC概念股 技術創新 產品迭代 市場開拓

              2025年上半年,在全球能源變革與人工智能浪潮的雙重推動下,碳化硅(SiC)半導體產業迎來爆發式增長。A股各SiC概念股企業在技術創新、產品迭代和市場開拓三個維度均取得顯著進展,展現出強勁的發展態勢。

              技術創新:從材料突破到工藝革新

              襯底技術領先者天岳先進在材料端實現重大突破,推出業內首款12英寸碳化硅襯底,標志著中國在半導體關鍵基礎材料領域實現歷史性突破。公司采用液相法制備無宏觀缺陷的8英寸碳化硅襯底,克服了高質量生長界面控制和缺陷控制難題,并率先交付高質量低阻P型碳化硅襯底。

              三安光電在產業鏈垂直整合方面表現突出,完成了650V-2000V全系列SiC MOSFET產品布局,8英寸碳化硅襯底與外延已實現小規模量產。公司與意法半導體合資的重慶8英寸碳化硅項目已于2025年2月實現通線,目前芯片產品已交付意法半導體進入可靠性驗證階段。

              斯達半導自建的6英寸SiC芯片產線隨著量產車型迅速爬坡,芯片和模塊良率均達到國際領先水平。公司推出了第二代SiC MOSFET芯片,覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個電壓等級,并開發了適用于光儲行業的1400V第二代SiC MOSFET芯片平臺,大幅提高了芯片出流能力。

              士蘭微電子在芯片技術方面持續迭代,已完成第Ⅳ代SiC芯片研發并送樣客戶評測。公司積極推進"士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產線"項目建設,目前已形成月產10,000片6英寸SiC-MOSFET芯片的生產能力。

              芯聯集成作為代工企業代表,其國內首條8英寸SiC產線已實現批量量產,關鍵性能指標業界領先。公司開發了650V到3300V系列的全面SiC工藝平臺布局,掌握了核心先進制造工藝。

              產品迭代:從實驗室走向規模化應用

              各企業在產品矩陣完善和量產能力方面取得顯著進展。天岳先進已形成6/8/12英寸碳化硅襯底產品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底,量產8英寸導電型襯底產品質量和批量供應能力領先。

              聞泰科技旗下安世半導體推出了1200V車規級SiC MOSFET,具備出色的RDS(on)溫度穩定性、超快的開關速度以及超強的短路耐受性,同時推出了1200V、20A碳化硅肖特基二極管,專為滿足工業應用中對超低功耗整流器的需求而設計。

              揚杰科技投資的SiC芯片工廠通過IDM技術實現650V/1200V/1700V的SiC MOS產品從第二代升級到第三代,所有SiC MOS型號實現覆蓋650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ,其中第三代SiC MOS平臺的比導通電阻(RSP)已做到3.33mΩ.cm2以下,FOM值達到3060mΩ.nC以下,可對標國際水平。

              華潤微在第三代半導體產品方面,整體產銷規模保持高增長,目前SiC JBS G3和SiC MOS G2均已完成產品系列化并量產,產品覆蓋主流系列,整體產品性能達到國際領先水平。

              A股SiC概念股2025H1產品、技術、市場新進展

              市場開拓:從新能源汽車到新興應用全面開花

              新能源汽車仍是SiC器件最主要的應用市場。斯達半導的車規級SiC MOSFET模塊在2025年上半年新增多個量產車型,在國內外多個品牌大批量配套上車。公司車規級IGBT和SiC模塊在歐洲一線品牌Tier 1持續大批量交付,并持續新增多個IGBT和SiC MOSFET主電機控制器項目平臺定點。車規級IGBT和SiC MOSFET模塊同時獲得多個低空飛行器項目定點,并且多個項目開始批量裝機。

              三安光電的車載充電機、空調壓縮機用SiC MOSFET已在十余家Tier 1或整車廠客戶處送樣驗證或實現小批量出貨,主驅逆變器用SiC MOSFET持續推進在國內頭部電動車企客戶處的技術迭代,并同步導入多家海外Tier 1客戶驗證。

              光伏儲能市場在經歷調整后需求回暖。揚杰科技等多家企業在碳化硅尤其是SiC MOS市場份額持續增加,光伏、儲能、工業電源等領域是重要出貨領域。

              新興應用領域成為增長新引擎。天岳先進開拓光學領域,與舜宇奧來微納光學(上海)有限公司達成戰略合作,開啟了微納米光學領域和新材料領域兩家龍頭企業合作新篇章。三安光電的碳化硅光學襯底產品已向AI/AR眼鏡領域的多家客戶小批量交付,面型參數已處于國際前列。

              三安光電碳化硅相關產品同時在數據中心及AI服務器電源領域,已向長城、維諦技術、偉創力、臺達、光寶等頭部客戶實現量產。在白色家電領域,已向格力、美的、TCL、小米實現批量供貨,海信、海爾、奧克斯處于送樣驗證階段;低空飛行器領域,已完成與小鵬、億航等客戶的對接工作,將啟動評估送樣工作。

              分析發現,SiC器件的應用領域正加速由新能源汽車向智能駕駛、低空經濟、數據中心、充電樁、光儲逆變、工業電源、AI算力、消費電子等新興領域拓展。

              值得注意的是,本土企業也在加速承接國際市場需求,特別是Wolfspeed破產事件,本土企業成為直接受益者群體,天岳先進等多家A股公司更是加速港股IPO,期望借助國際資本開拓海外市場。

              展望未來

              隨著全球碳化硅產業進入深度變革與戰略重組的關鍵階段,中國企業正從"跟隨者"向"引領者"轉變。從天岳先進的12英寸襯底到三安光電的8英寸全線布局,從斯達半導的車規模塊大規模上車到芯聯接集的代工平臺突破,中國碳化硅產業鏈已形成從材料、芯片到模組的完整布局,在全球寬禁帶半導體競爭中逐步嶄露頭角。

              未來,隨著新能源汽車滲透率持續提升、AI算力需求爆發以及能源轉型加速,碳化硅產業將迎來更廣闊的發展空間。中國企業憑借持續的技術創新、快速的產品迭代和靈活的市場策略,有望在全球半導體產業格局中占據更加重要的位置。

              (校對/鄧秋賢)




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