AI算力能耗破局！英諾賽科為英偉達(dá)開發(fā)800V GaN電源方案

10月14日，中國領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率器件制造商英諾賽科在港交所公告，公司正與英偉達(dá)展開深度合作，共同開發(fā)支持800V直流（800 VDC）電源架構(gòu)的全氮化鎵（GaN）電源解決方案。這一合作旨在為新一代“人工智能工廠”（AI Factories）提供更高能效、更高功率密度的供電系統(tǒng)，助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)綠色低碳轉(zhuǎn)型，應(yīng)對(duì)AI算力爆發(fā)帶來的能源挑戰(zhàn)。

隨著生成式AI、大模型訓(xùn)練和推理應(yīng)用的迅猛發(fā)展，全球數(shù)據(jù)中心正加速向“AI工廠”演進(jìn)。英偉達(dá)在其GTC大會(huì)上多次強(qiáng)調(diào)，AI數(shù)據(jù)中心不再是傳統(tǒng)服務(wù)器集群的簡單擴(kuò)展，而是集成了數(shù)萬顆GPU、高速互連網(wǎng)絡(luò)與海量存儲(chǔ)的超級(jí)計(jì)算中樞。然而，這種前所未有的算力密度也帶來了巨大的能源壓力。

據(jù)估算，一座大型AI數(shù)據(jù)中心的功耗可達(dá)數(shù)十甚至上百兆瓦，相當(dāng)于一座中小型城市的用電量。在如此高負(fù)載下，傳統(tǒng)基于硅（Si）基器件的48V或54V低壓直流供電架構(gòu)已顯疲態(tài)：轉(zhuǎn)換效率低、能量損耗大、散熱需求高、占用空間多，嚴(yán)重制約了系統(tǒng)的整體能效與可擴(kuò)展性。

英偉達(dá)CEO黃仁勛就曾指出，AI的未來不僅取決于算力，更取決于能源效率。我們必須重新思考整個(gè)數(shù)據(jù)中心的架構(gòu)，從芯片到系統(tǒng)，再到供電網(wǎng)絡(luò)。

800VDC機(jī)架電源架構(gòu)將在人工智能數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破，它不僅能顯著提升效率與功率密度，還能有效降低能耗需求，并減少二氧化碳的排放量。這一技術(shù)變革，與電動(dòng)汽車行業(yè)從400V向800V的跨越式升級(jí)頗為相似，可使電流降低16倍，從而大幅減少I2R損耗并最大限度降低對(duì)銅材的需求。

除了向800V機(jī)架電源過渡外，該架構(gòu)還要求在800V到1V的電壓轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)超高功率密度和超高效率。而這只有氮化鎵功率器件(GaN)能夠同時(shí)滿足這些嚴(yán)苛要求。

英諾賽科與英偉達(dá)的合作，正是針對(duì)這一痛點(diǎn)，提出了一套革命性的解決方案：采用800V高壓直流（800 VDC）配電架構(gòu)，結(jié)合全氮化鎵（GaN）功率器件，構(gòu)建新一代高效電源系統(tǒng)。該解決方案能夠在提升效率、功率密度、可靠性和環(huán)保指標(biāo)的同時(shí)，顯著壓縮系統(tǒng)體積和成本，是面AI大算力、數(shù)據(jù)中心以及高壓電動(dòng)汽車充電等場景的關(guān)鍵技術(shù)路徑。

其中，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具備高頻、高效率、低導(dǎo)通電阻和耐高溫等特性，是實(shí)現(xiàn)高壓高效轉(zhuǎn)換的理想選擇。全GaN電源系統(tǒng)可在MHz級(jí)高頻下工作，顯著縮小電感、變壓器等無源元件體積，從而大幅提升功率密度——單位體積內(nèi)可提供的電力輸出。

英諾賽科憑借其全球領(lǐng)先的8英寸GaN-on-Si制造平臺(tái)，已實(shí)現(xiàn)高性能GaN器件的規(guī)模化量產(chǎn)。此次合作中，英諾賽科將提供基于其InnoGaN?技術(shù)的高壓GaN FETs，為800 VDC電源架構(gòu)提供全GaN電源解決方案，構(gòu)建全鏈路高效轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

受這一消息的影響，英諾賽科(02577)高開近15%。

責(zé)編：Jimmy.zhang