三星12層HBM4發(fā)布在即，年內(nèi)量產(chǎn)劍

存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)場(chǎng)硝煙再起，三星電子強(qiáng)勢(shì)出招，試圖奪回被對(duì)手搶占的高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)高地。

十年磨一劍，三星電子在其HBM領(lǐng)域迎來(lái)關(guān)鍵突破。近日，三星官方宣布將在10月27日至31日舉辦的2025三星科技展上正式發(fā)布第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計(jì)劃于今年晚些時(shí)候啟動(dòng)量產(chǎn)。

SK海力士在2025年第一季度首次以38.7%的營(yíng)收市場(chǎng)份額超越三星，成為全球DRAM市場(chǎng)的第一名。這一轉(zhuǎn)變主要得益于人工智能（AI）市場(chǎng)對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）需求的激增，SK海力士在此領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位。三星的份額在此期間有所下降，盡管其在傳統(tǒng)DRAM和NAND市場(chǎng)仍具優(yōu)勢(shì)，但在高附加值的HBM市場(chǎng)失去了領(lǐng)先地位。如今，三星試圖通過(guò)HBM4的技術(shù)突破重新奪回市場(chǎng)主動(dòng)權(quán)。

HBM4并非簡(jiǎn)單的產(chǎn)品迭代，而是內(nèi)存技術(shù)的革命性進(jìn)步。根據(jù)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2025年4月通過(guò)的JESD270-4規(guī)范，HBM4標(biāo)準(zhǔn)引入了多項(xiàng)關(guān)鍵升級(jí)。

最核心的變革是接口位寬從HBM3的1024位直接翻倍至2048位，通道數(shù)量也從16個(gè)增至32個(gè)。這一設(shè)計(jì)為數(shù)據(jù)傳輸修建了一條“超級(jí)高速公路”，使帶寬提升至驚人的2TB/s。

三星HBM4采用10納米級(jí)第六代（1c）DRAM工藝，并在12層堆疊結(jié)構(gòu)中集成了邏輯芯片。通過(guò)先進(jìn)的3D堆疊技術(shù)和硅通孔工藝，三星成功實(shí)現(xiàn)了帶寬的飛躍。這種高帶寬的HBM4是為滿(mǎn)足AI和高性能計(jì)算（HPC）的需求而設(shè)計(jì)的，是新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

三星HBM4的量產(chǎn)計(jì)劃已然清晰。公司計(jì)劃在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技術(shù)展覽會(huì)上亮相其第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計(jì)劃今年晚些時(shí)候進(jìn)入量產(chǎn)階段。

為確保供應(yīng)鏈安全，三星已與ASML簽訂長(zhǎng)期協(xié)議，鎖定TWINSCAN NXE:3600D極紫外光刻機(jī)的穩(wěn)定供應(yīng)，同時(shí)與杜邦達(dá)成戰(zhàn)略合作，保障封裝材料的三年穩(wěn)定供應(yīng)。

HBM4市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)已成三足鼎立之勢(shì)。SK海力士此前已宣布計(jì)劃在2025年下半年量產(chǎn)HBM4，并為英偉達(dá)的Rubin GPU平臺(tái)提供支持。美光也在加速HBM4的研發(fā)，計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

當(dāng)前的市場(chǎng)格局對(duì)三星來(lái)說(shuō)壓力不小。根據(jù)行業(yè)追蹤機(jī)構(gòu)Counterpoint Research編制的數(shù)據(jù)，三星電子在4月至6月期間占據(jù)了全球HBM芯片市場(chǎng)17%的份額，低于美光科技的21%。但隨著三星HBM4的推出，這一格局可能面臨重塑。

三星的逆襲之路已經(jīng)開(kāi)始。今年8月，三星交付給英偉達(dá)的HBM4樣品已通過(guò)可靠性測(cè)試。這一進(jìn)展意義重大，因?yàn)橛ミ_(dá)是目前AI芯片市場(chǎng)的絕對(duì)主導(dǎo)者。

有消息稱(chēng)，英偉達(dá)CEO黃仁勛將于10月28日至31日出席在韓國(guó)舉行的APEC CEO峰會(huì)，并會(huì)見(jiàn)三星及SK海力士等關(guān)鍵內(nèi)存芯片供應(yīng)商的高管。這次會(huì)面可能對(duì)未來(lái)HBM4供應(yīng)鏈格局產(chǎn)生重要影響。英偉達(dá)表示：“黃仁勛將參與多項(xiàng)活動(dòng)，以強(qiáng)調(diào)英偉達(dá)通過(guò)人工智能、機(jī)器人技術(shù)、數(shù)字孿生和自動(dòng)駕駛汽車(chē)推動(dòng)韓國(guó)及全球技術(shù)進(jìn)步和增長(zhǎng)所做的工作。”但聲明未提供具體細(xì)節(jié)。

HBM4的推出不僅是內(nèi)存技術(shù)的重大突破，更是AI算力革命的關(guān)鍵推動(dòng)力。隨著生成式AI和大語(yǔ)言模型的快速發(fā)展，對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

以GPT-4為代表的萬(wàn)億參數(shù)大模型，每次訓(xùn)練需要處理海量數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)已成為制約AI算力提升的“內(nèi)存墻”。HBM4的高帶寬特性正是突破這一瓶頸的關(guān)鍵所在。

HBM4將為AI訓(xùn)練和推理帶來(lái)多方面的提升。更高的帶寬意味著數(shù)據(jù)傳輸速度更快，可以顯著縮短AI模型的訓(xùn)練時(shí)間。更大的容量支持更復(fù)雜的模型和更大規(guī)模的數(shù)據(jù)集，有助于提升模型的準(zhǔn)確性和泛化能力。

HBM4的量產(chǎn)將帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的升級(jí)與變革。從設(shè)備制造到材料供應(yīng)，從芯片設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試，HBM4將為產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)帶來(lái)新的增長(zhǎng)機(jī)遇。

對(duì)于AI芯片制造商而言，HBM4的到來(lái)將催生新一代高性能處理器。英偉達(dá)計(jì)劃在2026年推出基于HBM4的Vera Rubin GPU，而AMD也將在MI400系列中采用HBM4技術(shù)。這些新一代AI芯片將進(jìn)一步提升計(jì)算密度和能效。

全球HBM市場(chǎng)格局正在重塑。三星計(jì)劃通過(guò)平澤P4廠及華城17產(chǎn)線進(jìn)行1c DRAM的設(shè)備投資與制程轉(zhuǎn)換，其中平澤P4廠將承擔(dān)70%的HBM4初期產(chǎn)能。Counterpoint Research預(yù)測(cè)，隨著HBM4的量產(chǎn)，三星的HBM市場(chǎng)份額有望從2025年的17%提升至2026年的30%。

HBM4技術(shù)將成為未來(lái)AI算力競(jìng)賽的核心支撐。隨著更大參數(shù)規(guī)模的AI模型出現(xiàn)，對(duì)內(nèi)存帶寬和容量的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。三星、SK海力士和美光之間的競(jìng)爭(zhēng)將推動(dòng)HBM技術(shù)向更高性能、更高能效方向發(fā)展。盡管在2025年第二季度，三星的HBM市場(chǎng)份額曾落后于SK海力士和美光，但隨著HBM4的量產(chǎn)，行業(yè)追蹤機(jī)構(gòu)Counterpoint Research預(yù)測(cè)，三星的HBM市場(chǎng)份額有望在2026年提升至30%，重新奪回市場(chǎng)高地。

責(zé)編：Amy.wu