研微半導體完成數億元A輪融資，加速高端薄膜沉積設備國產替代

據永鑫方舟資本消息，近日，研微（江蘇）半導體科技有限公司（簡稱“研微半導體”）完成數億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產投等知名投資機構。該公司成立3年已有多臺設備通過Fab廠驗證，募集資金將用于未來研發投入及擴充團隊。

研微半導體成立于 2022 年，坐落于無錫經濟開發區，致力于研發、生產和銷售具有自主知識產權且具備國際競爭力的半導體設備，專注于原子層沉積（ALD)、 Si 外延沉積（SI EPI）、等離子體化學氣相沉積（PECVD）、SiC 外延（SiC EPI）以及原子層刻蝕（ALE）等設備及工藝技術的研發。該公司的目標是解決高端芯片制造中沉積和刻蝕技術的難題，引領更先進的沉積和刻蝕設備技術，同時與上下游產業鏈緊密合作齊步向前，助力中國半導體產業的加速騰飛。

隨著邏輯芯片制程的持續升級和3D存儲芯片對多層高深寬比結構要求的不斷提高，ALD 技術憑借其原子層級沉積特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、臺階覆蓋率極高、溝槽填充性能極佳等優勢，特別適合在對薄膜質量和臺階覆蓋率有較高要求的領域應用，在 45nm 以下節點、先進封裝、3D結構等半導體薄膜沉積環節有大量需求。研微半導體目前重點突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細分領域，市場份額主要由美日歐廠商占據，受地緣政治影響，高端薄膜沉積設備進口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細分工藝的突破，研微半導體在最前沿半導體技術競爭中建立優勢，實現國產替代。

永鑫方舟投資團隊指出：在中國半導體產業快速發展的浪潮中，研微半導體緊密圍繞高端制程、3D存儲及先進封裝等領域對特殊材料與工藝設備的迫切需求，提供成熟可靠的整體解決方案。公司核心團隊具備全球稀缺的復合研發背景——同時擁有NAND、DRAM與Logic三大領域設備開發經驗，憑借這一獨特優勢，研微半導體在成立僅三年內，便高效完成了從團隊組建到Fab廠驗證的全流程，以專業、高效的服務贏得了行業內的廣泛認可與好評。