三星HBM4芯片沖刺英偉達認證，12月見分曉

三星電子與英偉達合作的HBM4內存芯片認證測試已接近尾聲，預計12月公布的結果將標志著該公司近年來在高端內存市場取得最重大的復蘇之一。與此同時，還有報道稱，三星已對其內存研發部門進行重組，以穩定HBM的生產。

報道稱，三星的HBM4評估已進入最后階段，最早可能于2025年12月完成。初步評估結果顯示，HBM4在速度、能效和可靠性方面均表現良好。

三星的HBM4樣品已超過英偉達下一代GPU所需的11Gbps傳輸速率。這標志著三星在HBM3E周期中遭遇了逆轉，當時由于良率和穩定性問題而落后于競爭對手。在HBM4階段，三星通過將增強型1c級DRAM與4nm邏輯基片相結合，縮小與競爭對手的差距。這種配置對于應對超過11Gbps傳輸速率后出現的發熱量和功耗急劇上升至關重要。

行業分析師表示，預計12月初公布的最終結果可能會重新平衡HBM市場格局。如果認證成功，三星的樣品出貨速度將加快，客戶群體也將更加多元化，市場結構將轉向更加均衡的兩家供應商格局。

如果三星獲得英偉達的批準，分析師認為這將是該公司多年來最強勁的反彈，并可能從2025年開始重塑內存市場格局。隨著微軟、Meta和谷歌等云服務提供商鎖定2025年和2026年的HBM供應，采購模式正從短期周期轉向基于成熟制造可靠性的長期合同。

英偉達也在尋求避免過度依賴單一內存供應商。三星HBM4的強勁表現將有助于其供應商多元化戰略。

HBM4對工程技術提出了極高的要求，包括精確的TSV對準、成熟的DRAM工藝以及在11Gbps以上速率下嚴格的散熱和電源管理控制。雖然三星被認為在這些領域已經取得穩定的研發成果，但早期量產的良率仍然是最大的不確定因素。

業內人士警告稱，如果測試結果不盡如人意，競爭對手可能會進一步鞏固其領先地位。HBM4被認為是行業內“最關鍵的戰場”，明年的市場格局將很大程度上取決于英偉達的決定。

三星已成立整合的內存研發部門，并將HBM研發團隊劃歸其設計部門。此次重組由三星副總裁兼DRAM產品與技術團隊負責人Hwang Sang-joon領導，推翻了2024年為解決良率問題而將HBM團隊剝離的決定。

三星用于HBM4的1c級DRAM近期良率已達到70%左右，這增強了三星內部對HBM相關研發和制造趨于穩定的信心。

三星計劃通過將更先進的DRAM工藝與下一代芯片技術相結合，推進其在HBM4、HBM4E以及未來HBM5領域的研發路線圖。行業分析師表示，英偉達的最終認證結果將在很大程度上決定三星從2025年起的競爭力，以及HBM市場是否會轉變為穩定的雙供應商結構。（校對/趙月）