SK海力士推遲HBM4量產(chǎn)：技術(shù)躍進和市場需求雙重挑戰(zhàn)

12月8日消息，韓國媒體ZDNet Korea披露，存儲巨頭SK海力士已正式推遲第六代HBM4的量產(chǎn)與擴產(chǎn)計劃——原定2026年2月啟動量產(chǎn)、第二季度擴大產(chǎn)能的安排，現(xiàn)延后至2026年3–4月量產(chǎn)，第三季度才開始放量。

這一調(diào)整不僅反映出先進存儲技術(shù)落地的復(fù)雜性，更揭示了AI芯片生態(tài)中供需錯配與制造瓶頸的深層關(guān)系。而SK海力士推遲HBM4 量產(chǎn)，意味著所需材料和零組件供應(yīng)速度也放緩。

據(jù)悉，SK海力士HBM4邏輯芯粒由臺積電代工，意味著SK海力士需與外部Foundry深度協(xié)同，打破過去DRAM垂直整合的慣性。這種跨工藝、跨廠商的集成模式，在良率爬坡和量產(chǎn)一致性上天然更具不確定性。當然，市場需求也是影響HBM4規(guī)模化量產(chǎn)的另一大原因。

HBM4本被視為英偉達下一代AI旗艦芯片“Rubin”的標配內(nèi)存。Rubin預(yù)計于2026年接棒當前Blackwell架構(gòu)，性能目標大幅提升，對內(nèi)存帶寬提出前所未有的要求。

為此，HBM4在技術(shù)上實現(xiàn)重大突破：I/O端口數(shù)量從HBM3E的1,024個倍增至2,048個，數(shù)據(jù)傳輸通道近乎翻番；同時，用于控制HBM的邏輯芯粒（logic die）將首次放棄傳統(tǒng)DRAM制程，轉(zhuǎn)而采用臺積電的先進晶圓代工工藝，以提升信號完整性與能效比。這些創(chuàng)新雖極具前瞻性，卻也顯著抬高了制造難度與驗證周期。

據(jù)消息人士透露，SK海力士此前已為配合英偉達需求，試產(chǎn)約2萬至3萬顆HBM4樣品供質(zhì)量驗證。但近期雙方就2026年供貨計劃溝通后發(fā)現(xiàn)，英偉達大幅上調(diào)HBM3E采購量，暗示其Rubin芯片可能面臨延期。

背后原因多重：一方面，Rubin追求極致性能，對HBM4與CoWoS先進封裝的協(xié)同要求極高；另一方面，臺積電CoWoS 2.5D封裝產(chǎn)能持續(xù)緊張，已成為整個AI芯片供應(yīng)鏈的“卡脖子”環(huán)節(jié)。在此背景下，英偉達選擇延長Blackwell生命周期，優(yōu)先保障現(xiàn)有產(chǎn)品交付。

面對客戶需求的轉(zhuǎn)向，SK海力士迅速調(diào)整策略：2026年上半年仍將HBM3E作為生產(chǎn)重心，確保Blackwell GPU的穩(wěn)定供應(yīng)。該公司回應(yīng)稱：“雖無法確認具體經(jīng)營細節(jié)，但將根據(jù)市場需求靈活應(yīng)對。”

責編：Jimmy.zhang