劍指14A工藝！英特爾率先部署ASML TWINSCAN EXE:5200B光刻機

近日，英特爾宣布完成全球首臺用于商用芯片生產的高數值孔徑極紫外光刻機（High-NA EUV）——ASML TWINSCAN EXE:5200B的安裝與驗收測試。

作為ASML第二代High-NA EUV系統，EXE:5200B基于2023年交付英特爾的首臺研發機型EXE:5000升級而來，核心突破在于其0.55數值孔徑（NA）的投影光學系統。相較當前主流的Low-NA EUV設備（分辨率約13nm），EXE:5200B可實現8nm單次曝光分辨率，徹底擺脫多重圖案化（Multi-Patterning）的復雜流程。這意味著在關鍵層制造中，芯片圖案可一次成型，大幅簡化工藝、提升良率并縮短生產周期。

英特爾計劃將該設備用于其14A制造工藝——這將是全球首個在核心邏輯層全面依賴High-NA EUV的量產節點。據官方披露，EXE:5200B在標準條件下產能達每小時175片晶圓，而通過系統優化，英特爾目標將其推高至200片/小時以上。更關鍵的是，其套刻精度（overlay）已達到驚人的0.7納米，為亞2納米乃至1納米時代的晶體管微縮奠定物理基礎。

這一精度的實現，源于多項底層創新：更高功率的EUV光源提升了圖像對比度，有效抑制線邊緣粗糙度（LER）；全新設計的晶圓傳輸與存儲系統確保晶圓以穩定狀態進入曝光腔；強化的熱控機制則最大限度減少因溫度波動引發的熱脹冷縮誤差。此外，平臺整體機械與熱穩定性顯著增強，降低了長期運行中的性能漂移，減少頻繁校準需求——這對未來多遍曝光的亞1nm工藝至關重要。

除了引進最先進光刻設備之外，過去兩年，其在俄勒岡州Fab D1X工廠已利用EXE:5000完成人才培訓、工藝驗證與生態系統構建。如今，公司正同步推進掩模設計、蝕刻工藝、分辨率增強技術（RET）及先進計量學的協同優化，確保High-NA EUV的潛力被充分釋放。

在連續多年制程落后于臺積電與三星后，14A節點被視為其“王者歸來”的關鍵一役。High-NA EUV帶來的設計規則靈活性、步驟簡化與良率提升，將直接轉化為成本優勢與客戶吸引力。尤其在AI芯片需求爆發的當下，先進制程已成為爭奪英偉達、AMD乃至OpenAI等大客戶訂單的核心籌碼。

目前，ASML僅向英特爾交付了High-NA EUV設備，臺積電與三星雖已下單，但量產部署預計要到2026年后。這為英特爾贏得了寶貴的時間窗口，有望在14A及18A節點上實現技術反超。