春節(jié)后搶跑！三星將率先量產(chǎn)HBM4 本月第三周直供英偉達(dá)

三星電子將于春節(jié)假期后率先啟動(dòng)全球首次 HBM4 大規(guī)模量產(chǎn)，并于 2 月第三周向英偉達(dá)交付首批產(chǎn)品，此舉代表三星在 AI 存儲(chǔ)器領(lǐng)域上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，試圖扭轉(zhuǎn)上一代產(chǎn)品 HBM3E 的市場(chǎng)劣勢(shì)，重塑高階存儲(chǔ)器競(jìng)爭(zhēng)格局。

三星 HBM4 在性能上實(shí)現(xiàn)跨越式升級(jí)。透過(guò)創(chuàng)新采用 1c DRAM 制程與 4 奈米晶圓代工技術(shù)，資料處理速度達(dá) 11.7 Gbps，較 JEDEC 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) (8 Gbps) 提升 37%，比上一代 HBM3E(9.6 Gbps)快 22%。單堆疊儲(chǔ)存頻寬達(dá) 3 TB/s，為前代產(chǎn)品的 2.4 倍；12 層堆疊結(jié)構(gòu)提供 36GB 容量，未來(lái)可擴(kuò)充至 48GB。

更關(guān)鍵的是，三星 HBM4 的低功耗設(shè)計(jì)可顯著降低資料中心冷卻成本，直擊 AI 算力能耗痛點(diǎn)。

三星此次量產(chǎn)緊密配合英偉達(dá)新品節(jié)奏。三星已通過(guò)英偉達(dá)品質(zhì)認(rèn)證，其 HBM4 將用于 3 月 GTC 2026 大會(huì)亮相的 Vera Rubin AI 加速器。為符合顧客需求，三星大幅增加樣品供應(yīng)量，強(qiáng)化在英偉達(dá)供應(yīng)鏈中的核心地位。

產(chǎn)業(yè)分析指出，HBM4 作為 AI 芯片的“燃料艙”，其供應(yīng)能力將直接影響英偉達(dá)等巨頭的旗艦產(chǎn)品發(fā)布。

三星憑藉全球唯一涵蓋邏輯芯片、存儲(chǔ)器、晶圓代工、封裝的全鏈條能力，以“一站式解決方案”打造差異化優(yōu)勢(shì)。目前，平澤園區(qū)第四廠已啟動(dòng)新產(chǎn)線擴(kuò)建，目標(biāo)將今年 HBM 銷量提升兩倍以上。

產(chǎn)業(yè)鏈消息人士指出，三星以技術(shù)實(shí)力證明 HBM4 量產(chǎn)能力，在對(duì)抗 SK 海力士等對(duì)手時(shí)已占得先機(jī)。"

隨著 AI 算力需求爆發(fā)，HBM4 量產(chǎn)將加速高階儲(chǔ)存市場(chǎng)洗牌。三星的先發(fā)優(yōu)勢(shì)不僅鞏固自身技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，更透過(guò)綁定重量級(jí)客戶建構(gòu)生態(tài)護(hù)城河。

分析師指出，三星此次量產(chǎn)時(shí)程落地，意味著三星可望在 2026 年 AI 芯片競(jìng)賽中掌控關(guān)鍵零件命脈，為自家股價(jià)注入一劑強(qiáng)心針。